[发明专利]存储装置与电阻式存储单元的操作方法有效
申请号: | 201610246584.X | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN106992248B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 吴昭谊;李岱萤;李明修;王典彦 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 电阻 单元 操作方法 | ||
1.一种存储装置,其特征在于,包括:
一电阻式存储单元,包括一第一电极、一第二电极及一存储膜,其中该存储膜在该第一电极与该第二电极之间,其中:
该第一电极包括一底电极部分与从该底电极部分向上延伸的一壁电极部分,该壁电极部分在该存储膜与该底电极部分之间,
该壁电极部分与该存储膜的宽度是小于该底电极部分的宽度。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中该存储膜具有一高度H1,该第一电极具有一高度H2,0<H1/H2<0.1。
3.根据权利要求1所述的存储装置,还包括一导电层,其中该第一电极在该导电层上,该壁电极部分具有一宽度L1,该导电层具有一宽度L2,0<L1/L2<0.5。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其中该壁电极部分与该存储膜具有相同的宽度。
5.根据权利要求1所述的存储装置,其中该底电极部分与该壁电极部分之间具有一夹角,介于45度至90度。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其中该第一电极具有一L形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610246584.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纳米发电机及其制造方法
- 下一篇:一种具有量子电导效应的离子型忆阻器