[发明专利]一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法

权利要求书

1.一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法，其特征是对高丰度稀土永磁材料晶界扩渗复合中稀土、重稀土－铜铝合金，扩渗源成分为(Nd_xPr_100-x)_a(Dy_yTb_100-y)_b(Al_zCu_100-z)_100-a-b，其中x、y、z、a、b的取值范围为：x＝0-100,y＝0-100,z＝5-30；a+b＝60-90,a>b≥5，重量分数；

具体工艺步骤是：

a.真空熔炼扩渗源合金并制成薄带或粉末；

b.将扩渗源合金附着在高丰度稀土永磁体表面；

c.进行真空扩渗处理；

d.进行真空退火热处理；

e.得到高性能高丰度稀土永磁体；

其中，高丰度稀土永磁材料为高丰度稀土占稀土总量10－80％重量分数的钕铁硼永磁材料，高丰度稀土为La,Ce中的一种或两种。

2.如权利要求1所述提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法，其特征是步骤c所述的真空扩渗处理温度范围为600－900℃，保温时间为1－8h。

3.如权利要求1所述提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法，其特征是步骤d所述的真空退火热处理温度范围为450－550℃，保温时间为1－5h。