[发明专利]表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610248736.X 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105932302B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 谢健;屠芳芳;曹灿;唐之初;曹高劭;赵新兵 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01M4/88 分类号: H01M4/88;H01M4/86;H01M4/90;H01M12/08;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 代理人: 马士林
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 表面 载有 mno sub 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将六水合硝酸锌、六亚甲基四胺溶于去离子水,再加入氨水,搅拌均匀后得到混合溶液;

所述六亚甲基四胺和六水合硝酸锌的摩尔比为0.5~2.0;

所述氨水与去离子水的体积比为0.03~0.1;

所述混合溶液中Zn2+浓度为0.01~0.05mol/L;

2)将泡沫镍浸入混合溶液中,经70~110℃水热反应2~10h,再经后处理得到表面载有氧化锌纳米棒的泡沫镍,记为Ni/ZnO;

3)将步骤2)得到的Ni/ZnO浸入浓度为0.05~0.15mol/L的葡萄糖溶液中,取出后进行热处理得到载有氧化锌和碳纳米管的泡沫镍,记为Ni/ZnO/CNT;

所述热处理的温度为500~700℃,时间为2~10h;

4)将Ni/ZnO/CNT浸入浓度为1~3mol/L的NaOH水溶液中去除ZnO,经后处理得到载有碳纳米管的泡沫镍,记为Ni/CNT;

5)将Ni/CNT浸入0.005~0.2mol/L的KMnO4水溶液中,经60~100℃水热反应2~5h,经洗涤、干燥后再进行二次热处理,得到表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极,记为Ni/CNT/MnO2

所述二次热处理的温度为200~400℃,时间为1~3h。

2.根据权利要求1所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极的制备方法,其特征在于,步骤2)中,所述的泡沫镍需进行预处理,具体为:

将泡沫镍在0.5mol/L的高锰酸钾水溶液中浸泡1h,洗涤后待用;

所述水热反应的温度为80~100℃。

3.根据权利要求1所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极的制备方法,其特征在于,步骤3)中,Ni/ZnO在葡萄糖溶液中的浸泡时间为2~10h。

4.根据权利要求1所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极的制备方法,其特征在于,步骤4)中,Ni/ZnO/CNT在NaOH水溶液中的浸泡时间为24~72h。

5.根据权利要求1所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极的制备方法,其特征在于,步骤5)中,所述水热反应的温度为80~90℃;

所述的二次热处理在Ar气氛下进行。

6.一种根据权利要求1~5任一权利要求所述的方法制备的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极,其特征在于,以三维多孔泡沫镍为基体,基体上直接生长载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列,MnO2纳米片均匀负载于碳纳米管表面,将碳纳米管完全包覆,形成核壳结构CNT/MnO2,所述核壳结构CNT/MnO2的直径为400nm~1μm。

7.根据权利要求6所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极,其特征在于,所述的MnO2由片状结构的δ-MnO2堆砌而成,形成多孔结构,单片δ-MnO2的尺寸为100~300nm,厚度为2~5nm;

所述的碳纳米管呈开裂态,并呈非晶态,长度为2~4μm,直径为200~600nm,壁厚为5~10nm。

8.根据权利要求7所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极,其特征在于,所述表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极中MnO2纳米片的承载量为0.4~0.5mg/cm2

碳纳米管的承载量为0.04~0.1mg/cm2

9.一种根据权利要求6所述的表面负载有MnO2纳米片的碳纳米管阵列电极在锂空电池中的应用。

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