[发明专利]一种具有变K介质侧边的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201610251258.8 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105789270A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 袁嵩;段宝兴;蔡海;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有变 介质 侧边 vdmos 器件 | ||
1.一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，包括源极(1)、隔离介质 (2)、栅极(3)、源区(4)、基区(5)、漂移区(6)、衬底(8)和漏极(9)； 所述源极(1)的外侧区域向衬底方向延伸，延伸的区域依次覆盖源区(4)、 基区(5)以及部分漂移区，在所述延伸的区域与源区(4)、基区(5)以及漂 移区(6)之间设置有L型结构的侧边层(7)，并通过该侧边层(7)将整个 漂移区(6)与源极(1)延伸的区域隔离；其特征在于：
所述L型结构的侧边层(7)整体由多种不同K值介质依次构成，以产生 新的电场峰，调制高阻漂移区的电场分布；其中，侧边层的顶部区域的K值 大于底部区域的K值，使得侧边层的底部区域满足击穿电压的需求、同时顶 部区域满足比导通电阻的需求。
2.根据权利要求1所述的具有变K介质侧边的VDMOS器件，其特征在 于：所述L型结构的侧边层(7)中，从源端到漏端方向上的部分记为竖向部 分，则该竖向部分上下厚度一致、或者靠近漏端部分的厚度宜大于靠近源端部 分的厚度。
3.根据权利要求2所述的具有变K介质侧边的VDMOS器件，其特征在 于：所述竖向部分的截面形状为矩形、三角形、梯形或者台阶形。
4.根据权利要求1所述的具有变K介质侧边的VDMOS器件，其特征在 于：从侧边层的顶部区域到侧边层的底部区域，K值单调性减小。
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