[发明专利]调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法有效
| 申请号： | 201610254589.7 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105932543B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞华 | 申请（专利权）人： | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿军;张瑾 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市湖高*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制 掺杂 周期 应变 补偿 量子 外延 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
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