[发明专利]一种高比容电容负极箔及其制备的镀膜装置在审
| 申请号： | 201610256319.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105761939A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 关秉羽 | 申请（专利权）人： | 辽宁鑫金铂科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/045;H01G9/048;H01G13/00;C23C14/56;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 铁岭天工专利商标事务所 21105 | 代理人： | 王化斌 |
| 地址： | 112600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 比容 电容 负极 及其 制备 镀膜 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种高比容电容负极箔，具有铝箔（1），其特征在于：所述铝箔（1）的表面溅射有氮化钛层（2），氮化钛层（2）的表面溅射有氮化钛和石墨的混合层（3）。
2.一种制备权利要求1所述高比容电容负极箔的镀膜装置，其特征在于：包括真空放卷室（10）、第一真空镀膜室（20）、第二真空镀膜室（30）和真空收卷室（40），所述真空放卷室（10）内设有放卷机构（11），真空收卷室（40）内设有收卷机构（41），铝箔（1）从所述放卷机构（11）开始，经第一真空镀膜室（20）和第二真空镀膜室（30），由所述收卷机构（41）收卷；所述第一真空镀膜室（20）内位于铝箔（1）的上、下方均布设有多个磁控钛靶（21），第二真空镀膜室（30）内位于铝箔（1）的上、下方均布设有多个磁控钛靶（21）和磁控石墨靶（31）；还包括充氮气装置（50），该充氮气装置（50）通过管线与所述第一、二真空镀膜室（20、30）相连通。
3.如权利要求2所述的制备高比容电容负极箔的镀膜装置，其特征在于：位于所述第二真空镀膜室（30）内的磁控钛靶（21）的数量多于磁控石墨靶（31）的数量。
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