[发明专利]一种制备透明导电电极的方法

权利要求书

1.一种制备透明导电电极的方法，包括：

1)制备透明导电材料；

2)形成反应区域：在透明导电材料的导电层上形成反应区域；

3)导入反应气体进行反应：向反应区域导入反应气体，使反应区域内的导电层与反应气体发生反应；

4)获得透明导电电极：反应结束后，向反应区域通入保护气体除去反应区域内的残余反应气体，即得透明导电电极；

所述步骤2)3)4)采用透明导电电极加工装置进行，所述透明导电电极加工装置包括模板体、吸附平台和用于将模板体压紧在吸附平台上的压紧件，所述模板体为平板型，模板体设置在吸附平台上，模板体上设置有密封环、接触件和通气孔，所述密封环和接触件固定在模板体靠近透明导电材料的一侧，所述接触件位于密封环内，所述密封环和接触件之间形成非接触腔，所述通气孔设置在模板体非接触腔处，通气孔为两个以上；

所述步骤1)具体为：通过旋涂、喷涂、印刷、自组装、气相沉积、液相沉积或电镀工艺在透明基材上形成导电层；

所述步骤2)具体为：透明导电材料置于吸附平台上，模板体上的密封环和接触件抵持在透明导电材料的导电层上并压紧，非接触腔在透明导电材料上形成反应区域；

所述步骤3)具体为：通过模板体上的通气孔向反应区域导入反应气体，反应区域内的导电层与反应气体进行反应；

所述步骤4)具体为：通过模板体上的通气孔向反应区域通入保护气体除去反应区域内的残余反应气体，除去模板体，即得透明导电电极。

2.如权利要求1所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述透明基材为玻璃、高分子透明薄膜或高分子片材。

3.如权利要求1所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述导电层为一维纳米导电材料、二维纳米导电材料、金属网格透明导电材料、透明导电高分子材料和金属氧化物系透明导电材料中一种或几种。

4.如权利要求3所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述一维纳米导电材料为金属纳米线透明导电材料、碳纳米管透明导电材料、纳米金属带透明导电材料或纳米金属棒透明导电材料。

5.如权利要求4所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述金属纳米线透明导电材料中金属纳米线为银、镍、铜、钯、铂、金、钴和铁中任一种单质金属纳米线或几种的合金金属纳米线纳米银线；所述金属网格透明导电材料中金属网格为银、镍、铜、铝、钯、铂、金、钴和铁中任一种单质金属网格或几种的合金金属网格。

6.如权利要求3所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述二维纳米导电材料为纳米金属薄膜透明导电材料或碳系透明导电材料。

7.如权利要求1所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述反应气体为臭氧、水蒸气、双氧水、有机胺、氨气、卤素气体及其化合物、二氧化碳、有机酸、硝酸、盐酸、硫蒸气和硫化物蒸气中一种或几种。

8.如权利要求1所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，所述保护气体为氮气、空气和惰性气体中一种或多种。

9.如权利要求2-8任一项所述制备透明导电电极的方法，其特征在于，

1)制备透明导电材料；

2)形成反应区域：在透明导电材料的导电层上形成反应区域；

3)导入反应气体进行反应：向反应区域导入反应气体，使反应区域内的导电层与反应气体发生反应；

4)获得透明导电电极：反应结束后，向反应区域通入保护气体除去反应区域内的残余反应气体，即得透明导电电极；

所述步骤2)3)4)采用透明导电电极加工装置进行，所述透明导电电极加工装置包括模板体、吸附平台、用于将模板体压紧在吸附平台上的压紧件和柔性保护膜，所述模板体为平板型，模板体设置在吸附平台上，模板体上设置有密封环、接触件和通气孔，所述密封环和接触件固定在模板体靠近透明导电材料的一侧，所述接触件与透明导电材料接触处内凹有压力腔，所述接触件位于密封环内，所述密封环和接触件之间形成非接触腔，所述通气孔设置在模板体非接触腔处，所述通气孔为两个以上；所述吸附平台对应模板体的非接触腔处设置有导气孔，所述柔性保护膜设置在吸附平台和模板体之间；

所述步骤1)具体为：通过旋涂、喷涂、印刷、自组装、气相沉积、液相沉积或电镀工艺在透明基材上形成导电层，并在透明导电材料对应吸附平台导气孔处开通孔；

所述步骤2)具体为：透明导电材料置于吸附平台上，在透明导电材料上覆盖柔性保护膜，模板体上的密封环和接触件抵持在柔性保护膜上并压紧，柔性保护膜与透明导电材料在非接触腔处形成反应区域；

所述步骤3)具体为：通过导气孔向反应区域导入反应气体，使反应区域内的柔性保护膜鼓泡形成反应空间，反应空间内的导电层与反应气体进行反应；

所述步骤4)具体为：通过导气孔向反应空间通入保护气体除去反应空间内的残余反应气体，除去模板体和柔性保护膜，即得透明导电电极。