[发明专利]半导体集成加工设备和半导体加工方法

说明书

本发明公开了一种半导体集成加工设备和半导体加工方法。该半导体集成加工设备包括：至少两个工艺室(1)；连通所述工艺室(1)的高温通道(2)，所述高温通道(2)具有保温装置；传输装置，所述传输装置包括传输部(31)和驱动部(32)，所述驱动部(32)设置在所述工艺室(1)和高温通道(2)之外，所述传输部(31)设置在所述驱动部(32)的端部，所述驱动部(32)驱动所述传输部(31)伸入所述工艺室(1)和高温通道(2)并在其中移动。本发明解决的一个技术问题是基片在各个加工工艺之间过度降温。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体地，本发明涉及一种半导体集成加工设备和半导体加工方法。

背景技术

现代的半导体加工和生产技术大多基于薄膜制备和加工等工艺。对于一个完整的半导体器件结构来说，整个加工过程通常包括多项依次进行的工艺，这些加工工艺的顺序、条件都是根据器件自身的特点决定的。普遍的，加工工艺可以包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入、刻蚀等物理化学过程。由于这些加工过程的机理各不相同，所需的温度、压力和气体氛围等条件也不尽相同，所以需要设计不同的工艺室以满足工艺需求。

为了高效率的完成这些加工工艺，本领域技术人员设计了自动化加工设备。加工设备可以将待加工的材料送入工艺室中，当材料在工艺室中完成了一项工艺后，加工设备可以将材料从工艺室中取出，再送入另一个工艺室中进行下一步加工。虽然各种加工工艺的条件各不相同，但大部分是在高于室温的环境下完成的。经过加工后，材料衬底晶片上生长有外延层。其中的一个问题是，加工设备将材料从工艺室中取出时会造成材料自身温度下降。由于材料衬底晶片和其上的外延层通常存在晶格常数和热涨系数的失配，温度下降会在衬底晶片和外延层之间引入较大应力，这些应力会导致外延层中出现晶格形变，进而产生缺陷。

但是，现阶段难以实现在高温环境下将材料从一个工艺室输送到另一个工艺室，因为，加工设备上用于搬运材料的传输装置的耐热性不好，尤其是驱动部件不能在高温环境下工作。所以，有必要对半导体的加工过程进行改进，避免基片在不同加工工艺之间冷却到较低的温度。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种防止基片在加工过程中过度降温的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种半导体集成加工设备，其中包括：

至少两个工艺室；

连通所述工艺室的高温通道，所述高温通道具有保温装置；

传输装置，所述传输装置包括传输部和驱动部，所述驱动部设置在所述工艺室和高温通道之外，所述传输部设置在所述驱动部的端部，所述驱动部驱动所述传输部伸入所述工艺室和高温通道并在其中移动。

优选地，所述工艺室与所述高温通道之间设置有工艺室阀门，所述工艺室阀门打开时供所述传输部在所述高温通道和所述工艺室之间运动。

优选地，所述高温通道具有密封阀门，所述密封阀门打开时供所述传输部伸入所述高温通道。更优地，所述半导体集成加工设备包括驱动腔室，所述驱动部设置在所述驱动腔室中，所述密封阀门位于所述驱动腔室与所述高温通道之间。

可选地，所述保温装置包括保温层和/或加热组件。

更优地，所述半导体集成加工设备包括冷却组件，用于冷却所述高温通道(2)的外壁。

更优地，所述驱动部上设置有伸缩组件，所述传输部设置在所述伸缩组件上。

可选地，所述传输部为用于承载基片的石英手指。

本发明还提供了一种半导体的加工方法，包括：按照预定加工工序，将基片送入工艺室进行加工，完成加工后将基片从工艺室中移动到高温通道，沿所述高温通道将基片送入下一个工艺室进行下一步加工。