[发明专利]一种屏蔽量子阱区极化场效应的发光二极管外延结构在审
| 申请号： | 201610260332.2 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870274A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 量子 极化 场效应 发光二极管 外延 结构 | ||
【说明书】：
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