[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610261460.9 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107316808B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 任佳;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/115;H01L27/11517;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；
回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构；
氧化露出的所述浮栅结构，以在所述浮栅结构的侧壁表面形成氧化物层；
去除所述氧化物层，以增加所述浮栅结构之间的所述凹槽的宽度，从而避免填充过程中产生孔洞。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
在所述凹槽中以及所述浮栅结构的表面上沉积隔离层；
沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；
在所述覆盖层上形成控制栅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化选用O2退火的快速热氧化、解耦等离子体氧化或生成氧等离子体微波。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为10～60埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述氧化物层的步骤包括预清洗步骤。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在覆盖层上形成所述控制栅之前还进一步包括回蚀刻所述覆盖层的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所述浮栅之间还形成有隧道氧化物层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅结构包括多晶硅。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至8之一所述的方法制备得到。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
