[发明专利]二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）制备二氧化钛溶胶凝胶溶液；

2）采用在所述步骤a中制备的二氧化钛溶胶凝胶溶液，在基底上通过浸渍提拉法或旋 涂方法制得厚度为100~200nm的二氧化钛光催化薄膜，放置36～60h备用；

3）将在所述步骤b中制备的光催化薄膜进行煅烧活化，对光催化薄膜的煅烧温度为375 ～425℃，煅烧时间为4～6h，光催化薄膜经过煅烧后续处理固化后，自然冷却至室温即可 得到二氧化钛纳米半导体光催化薄膜。

2.根据权利要求1所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于：在所 述步骤1）中，采用四异丙醇钛、四氯化钛和钛酸丁酯中任意一种原料或任意几种原料的混 合含钛材料制备二氧化钛溶胶凝胶溶液。

3.根据权利要求1所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于：在所 述步骤2）中，制备二氧化钛光催化薄膜时，采用的基底为刚性材料。

4.根据权利要求3所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于：在所 述步骤2）中，制备二氧化钛光催化薄膜时，采用的基底的材料为玻璃、硅、石英或金属。

5.根据权利要求1所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于：在所 述步骤3）中，对光催化薄膜进行煅烧时的温度控制方法，采用程序升温方式。

6.根据权利要求1所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于：在所 述步骤3）中，对光催化薄膜进行煅烧时的温度控制方法，采用非程序升温方式。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其 特征在于：在所述步骤1）中，采用含钛原料溶于盐酸中，并慢慢加入P123的乙醇溶液，将混 合溶液搅拌至均匀，得到二氧化钛溶胶凝胶溶液。