[发明专利]离子注入异常的检测结构及其制备方法，以及检测方法

权利要求书

1.一种离子注入异常的检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底层半导体层、埋氧层及顶层半导体层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域的顶层半导体层中具有多个离子注入区域，所述第二区域的底层半导体层中具有与所述多个离子注入区域一一对应的监测点，相互对应的所述离子注入区域和所述监测点采用同一步离子注入工艺形成。

2.如权利要求1所述的离子注入异常的检测结构，其特征在于，所述第二区域位于所述半导体衬底的切割道中。

3.如权利要求1所述的离子注入异常的检测结构，其特征在于，所述第一区域中形成有PMOS晶体管和/或NMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的离子注入异常的检测结构，其特征在于，所述监测点上形成有层间介质层。

5.如权利要求1所述的离子注入异常的检测结构，其特征在于，所述底层半导体层的材料为硅、锗或锗硅中的一种。

6.如权利要求1所述的离子注入异常的检测结构，其特征在于，所述顶层半导体层的材料为硅、锗或锗硅中的一种。

7.一种离子注入异常检测结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底层半导体层、埋氧层及顶层半导体层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

选择性刻蚀所述第二区域的顶层半导体层及埋氧层，暴露所述第二区域的部分底层半导体层；

依次在所述第一区域的顶层半导体层中形成多个离子注入区域，并在所述第二区域的底层半导体层中形成与所述多个离子注入区域一一对应的多个监测点，相互对应的所述离子注入区域和所述监测点采用同一步离子注入工艺形成。

8.如权利要求7所述的离子注入异常检测结构的制备方法，其特征在于，所述第二区域位于所述半导体衬底的切割道中。

9.如权利要求7所述的离子注入异常检测结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第一区域中形成PMOS晶体管和/或NMOS晶体管。

10.如权利要求7所述的离子注入异常检测结构的制备方法，其特征在于，依次在所述第一区域的顶层半导体层中形成多个离子注入区域，并在所述第二区域的底层半导体层中形成与所述多个离子注入区域一一对应的多个监测点的步骤包括：

在所述第一区域和第二区域上形成光阻，所述光阻暴露出一部分所述第一区域和一部分所述第二区域的底层半导体层，同时对暴露的所述第一区域和暴露的所述底层半导体层进行离子注入，分别形成相互对应的一个所述离子注入区域和一个所述监测点；

去除所述光阻。

11.如权利要求7所述的离子注入异常检测结构的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述多个监测点之后，在所述第二区域上覆盖层间介质层，将所述多个监测点与所述第一区域隔离。

12.一种离子注入异常的检测方法，其特征在于，包括：

提供根据权利要求7至11任一所述的离子注入异常的检测方法得到的检测结构；

去除所述第二区域的顶层半导体层及埋氧层，暴露出所述第二区域的底层半导体层；

对所述多个监测点进行二次离子质谱分析。

13.如权利要求12所述的离子注入异常的检测方法，其特征在于，还包括：对所述第一区域进行电性分析，将电性分析异常的半导体衬底中的第二区域的多个监测点与电性分析正常的半导体衬底中的第二区域的多个监测点进行一一对比，确定离子注入异常的工艺。