[发明专利]电压准位移位电路

权利要求书

1.一种电压准位移位电路，其特征在于，包括：

一电压箝位单元，耦接至一第一系统电源的一第一准位电压，该电压箝位单元操作于该第一系统电源的该第一准位电压与一第二准位电压之间的电压范围内；

一限流电路，耦接至该第一系统电源的一第三准位电压；其中该第二准位电压落在该第一至第三准位电压的电压范围内；以及

一单一功率开关晶体管，耦接于该电压箝位单元及该限流电路之间，其与该电压箝位单元的一串接节点为一输出端；其中该单一功率开关晶体管的栅极为一输入端，以接收一第二系统电源的一第五及第六准位电压，其漏源极电压匹配于该第一系统电源的第一至第三准位电压的电压范围；又该第一系统电源的第一至第三准位电压的电压范围大于该第二系统电源的第五至第六准位电压的电压范围；

上述单一功率开关晶体管依据所接收的第二系统电源的该第五或第六准位电压呈导通或不导通状态；其中：

当单一功率开关晶体管不导通时，该输出端的电压调整至该第一系统电源的第一准位电压；

当单一功率开关晶体管导通时，该限流电路限制该单一功率开关晶体管的导通电流不超过一电流上限值，同时该输出端的电压自该第一系统电源的第一准位电压调整至该第一系统电源的第二准位电压。

2.根据权利要求1所述电压准位移位电路，其特征在于，该单一功率开关晶体管的漏极连接至该电压箝位单元，及该单一功率开关晶体管的漏极及源极连接至该限流电路。

3.根据权利要求2所述电压准位移位电路，其特征在于，该电压箝位单元包括：

一电阻性元件，耦接于该第一系统电源的第一准位电压及该单一功率开关晶体管的漏极之间；及

一限压电路，耦接于该第一系统电源的第一及第二准位电压间，并与该单一功率开关晶体管的漏极连接。

4.根据权利要求3所述电压准位移位电路，其特征在于：

该电阻性元件为一第一定电流电路，并于该单一功率开关晶体管不导通时，该输出端的电压上拉至该第一系统电源的第一准位电压；于该单一功率开关晶体管导通时，输出一第一定电流至导通的该单一功率开关晶体管；

该限压电路为一第二定电流电路，并于该单一功率开关晶体管导通时，输出一第二定电流至导通的该单一功率开关晶体管；其中该第一及第二定电流总和与该限流电路的电流上限值相同。

5.根据权利要求4所述电压准位移位电路，其特征在于，各该第一及第二定电流电路包含有二栅极对接的晶体管元件，各该晶体管元件的漏源极电压匹配于该第一系统电源的第一至第二准位电压的电压范围，且其漏源极的耐受电压小于该单一功率开关晶体管漏源极的耐受电压。

6.根据权利要求3所述电压准位移位电路，其特征在于，该电阻性元件为一第一电阻元件。

7.根据权利要求4或5所述电压准位移位电路，其特征在于，该限流电路为一第三定电流电路。

8.根据权利要求6所述电压准位移位电路，其特征在于，该限流电路为一第三定电流电路或一第二电阻元件。

9.根据权利要求7所述电压准位移位电路，其特征在于：

该第一系统电源的第一准位电压为该第一系统电源的最高准位电压、该第二准位电压为一第一低准位电压及该第三准位电压为一第二低准位电压；其中该第二低准位电压低于该第一低准位电压；

该第二系统电源的第五准位电压为该第二系统电源的最高准位电压及该第六准位电压为该第一系统电源的最低准位电压。

10.根据权利要求9所述电压准位移位电路，其特征在于：

该单一功率开关晶体管为一N型MOS功率晶体管；

该第一定电流电路包含二个P型MOS晶体管，各P型MOS晶体管的漏源极电压匹配于该第一系统电源的该最高准位电压与该第一低准位电压之间的电压范围；

该第二定电流电路包含二个N型MOS晶体管，各N型MOS晶体管的漏源极电压匹配于该第一系统电源的该最高准位电压与该第一低准位电压之间的电压范围。