[发明专利]一种具有光束扩散结构的高速半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，所述半导体激光器为高速直调半导体激光器，所述高速直调半导体激光器包括光波导结构，所述光波导结构包括自下而上依次叠置的下波导层(2)、多量子阱有源层(3)和脊形波导的上波导层(5)，在所述多量子阱有源层(3)中的上部形成有光栅层(4)，其特征在于，所述上波导层(5)、包层(6)和接触层(7)形成为凸脊，该凸脊具有入光端面和出光端面，并在出光端面一侧具有光束扩散结构，所述光束扩散结构包括扩束部分，所述扩束部分具有从所述出光端面向内部逐渐收缩的形状，且所述扩束部分的水平发散角为5°～20°，所述扩束部分的长度为5～30μm。

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器的入光端面镀有高反射膜，出光端面镀有增透膜。

3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层(2)与上波导层(5)具有厚度差。

4.如权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述厚度差为30～60nm。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，在所述下波导层(2)的下方为缓冲层(1)。