[发明专利]一种避免吸附柱再生延时生产工艺

说明书

【技术领域】

本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种避免多晶硅尾气回收过程中吸附柱再生延时的生产工艺。

【背景技术】

在多晶硅生产领域，改良西门子法是在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统和四氯化硅氢化工艺在吸附塔中实现闭路循环的三氯氢硅还原法，改良西门子法目前正被广泛运用于多晶硅生产领域，其主要包括如下五个环节：三氯氢硅合成，三氯氢硅精馏提纯，三氯氢硅的氢还原，尾气的回收以及四氯化硅的氢化分离。上述生产过程中会产生大量尾气，主要成分为氢气、氯硅烷、氯化氢，回收利用价值较高，尾气回收就是将尾气中的氢气、氯硅烷、氯化氢进行分离回收。尾气处理中的吸附塔的作用是将氢气净化回收，吸附柱通常采用活性炭作为材料对尾气进行吸附，吸附结束后吸附塔内的吸附柱可再生利用，此时需要用氢气反吹以达到再次吸附净化的功能，目前吸附柱的再生主要使用高温低压再加氢气吹扫的方式进行，随着吸附次数的累积增加，吸附柱中活性炭会出现再生效果变差，再次吸附时吸附温度高、从吸附距离温升的时间短等缺点，影响多晶硅产品的质量。

为了提高改良西门子法生产出的多晶硅的质量，提高氢气及三氯氢硅的纯度是这个行业共同关注的焦点，由于现有的生产工艺在运行时常常伴随吸附柱再生延时现象，另一方面，吸附各阶段运行程序设定的时间是固有不变的，这样会使吸附柱长期处于恶性循环，间接的影响了活性炭的使用寿命以及氢气的质量。随着生产规模的扩大，这些问题就会更加突出，甚至成为制约企业发展壮大的技术瓶颈。鉴于此，有必要设计出一种避免吸附柱再生出现延时现象的生产工艺。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题在于提供一种避免吸附柱再生延时生产工艺。该工艺有效的解决了吸附柱的再生延时，提高了氢气的质量及活性炭的使用周期。

为解决上述技术问题，本发明揭露以下技术方案：提供一种避免吸附柱再生延时生产工艺，用于在吸附塔内完成对多晶硅尾气的净化，若干个吸附塔相互串联逐级完成净化，所述吸附柱位于吸附塔内用于净化生产多晶硅时产生的尾气，其特征在于，所述避免吸附柱再生延时生产工艺包括以下步骤：

第一步：将尾气输入吸附塔中并对吸附塔进行泄压及加热；

第二步：维持第一步产生的条件，通过吸附柱净化尾气，以获得提纯后的再生氢气，所述再生氢气的一部分进入相邻吸附塔作为第一步骤中的尾气输入后再次净化；

第三步：完成第二步之后增加吸附塔内的压力,并将另一部分再生氢气反吹进入吸附塔对吸附柱进行吹扫和降温，使吸附柱获得再生。

进一步地，所述吸附塔包括尾气入口和尾气出口，所述尾气入口连接氢气供给装置和再生氢气回收装置，所述尾气出口连接氢气回收装置和纯氢接入装置。

进一步地，所述尾气入口与再生氢气回收装置之间并列安装有再生氢气出口切断阀以及氢气冷却调节阀，再生氢气反吹进入吸附塔时，再生氢气出口切断阀处于关闭状态并且氢气冷却调节阀处于打开状态。

进一步地，所述尾气出口与纯氢接入装置之间设有再生氢气入口切断阀、尾气出口与氢气回收装置之间设有氢气出口切断阀，再生氢气反吹进入吸附塔时，再生氢气入口切断阀处于打开状态并且氢气出口切断阀处于关闭状态。

进一步地，所述氢气出口切断阀与氢气回收装置之间安装有氢气过滤器。

进一步地，所述氢气回收装置和再生氢气入口切断阀之间设有再生氢气压力调节阀。

进一步地，所述经过第一步骤泄压并加热所需时间为140分钟，泄压后吸附塔内的压力值为0.05Mpa。

进一步地，所述第二步骤吸附柱净化尾气所需的时间为215分钟，且吸附塔内的温度维持在120℃以上。

进一步地，所述第三步骤进行的时间为140分钟，经过降温后吸附塔内的温度小于50℃。

通过采用上述工艺，符合本发明的避免吸附柱再生延时生产工艺克服了多晶硅尾气处理阶段吸附柱再生延时的问题，同时提高了最终产出氢气的质量及活性炭的使用周期。

【附图说明】

图1为符合本发明的一种避免吸附柱再生延时生产工艺的系统示意图。

【具体实施方式】