[发明专利]一种瞬变电磁发射机电流波形整形电路有效
申请号: | 201610265204.7 | 申请日: | 2016-04-26 |
公开(公告)号: | CN105743385B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 孙淑琴;巨长磊;尚新磊;彭良玉;林君;贺岩 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H02M7/5395 | 分类号: | H02M7/5395;H02M7/5387;G01V3/10 |
代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 | 代理人: | 姜彦 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 发射机 电流 波形 整形 电路 | ||
1.一种瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,包括:
开关电源模块,提供所需电能;
快恢复二极管,与所述开关电源模块连接后,单向导通,防止高压感应电动势损坏电源模块;
发射桥路模块,通过所述快恢复二极管与开关电源模块连接获取电能,并连接一驱动电路驱动发射桥路模块中的开关管按特定的频率开关动作,与发射线圈连接,产生一定频率的交变电流脉冲;
阻尼匹配吸收电路,并联在发射线圈两端,通过切换开关选择需要的匹配电阻值;
无源恒压钳位电路,由多个稳压二极管串联后并联在发射桥路模块两端,并通过外置的旋钮选择调节所需要的钳位电压。
2.按照权利要求1所述的瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,所述发射桥路模块包括四个IBGT模块通过两两IBGT模块串联后在两组IBGT模块中间连接发射线圈组成的H桥路。
3.按照权利要求1所述的瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,所述无源恒压钳位电路的钳位电压值的范围在0~500V可调,间隔为30V。
4.按照权利要求1所述的瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,阻尼匹配吸收电路为一定值阻尼匹配吸收电阻与多组特定阻值的匹配电阻串联后并联在发射线圈两端,每个特定阻值上的匹配电阻上并联切换开关。
5.按照权利要求3所述的瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,无源恒压钳位电路的钳位电压值高于开关电源模块的输出电压。
6.按照权利要求4所述的瞬变电磁发射机电流波形整形电路,其特征在于,匹配电阻的阻值分为粗调和细调,其中,粗调范围为0~2000Ω,精度为200Ω;细调范围为50~230Ω,精度为20Ω,其中定值吸收电阻的阻值为50Ω。
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