[发明专利]背照式CMOS图像传感器的制备方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS图像传感器的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底具有前侧以及与所述前侧相对的背侧；

对所述衬底的前侧进行离子注入，在所述衬底中形成一具有一定厚度的掺杂埋层，所述掺杂埋层具有一平均深度，所述离子注入的能量大于等于1000Kev，所述离子注入的过程为多步注入的过程；

在所述衬底的前侧制备图像传感器结构；

对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层；以及

在所述衬底的背侧制备微透镜结构。

2.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底的前侧进行离子注入的步骤包括：

分别对所述衬底的前侧进行两次以上的子步离子注入，前一次子步离子注入的能量大于后一次子步离子注入的能量。

3.如权利要求2所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层后，暴露出的所述掺杂埋层的表面的杂质浓度大于所述掺杂埋层的底部的杂质浓度。

4.如权利要求1或2或3所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述离子注入的类型为P型。

5.如权利要求4所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述离子注入的杂质为一价硼或二价硼。

6.如权利要求5所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述离子注入的能量为1300Kev～1500Kev。

7.如权利要求5所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述离子注入的剂量为5.0E11cm^-3～1.0E13cm^-3。

8.如权利要求1或2或3所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述掺杂埋层距所述衬底的前侧表面的平均深度为

9.如权利要求1或2或3所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述掺杂埋层的厚度为

10.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，利用制备所述图像传感器结构过程中的退火工艺，对所述掺杂埋层进行退火。

11.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，减薄后的所述衬底的厚度为

12.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层的步骤中，去除部分所述掺杂埋层。

13.如权利要求12所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，减薄后的所述衬底中，剩余的所述掺杂埋层的厚度为

14.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，对所述衬底的前侧进行离子注入之前，在所述衬底的前侧制备一氧化层。

15.如权利要求14所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为

16.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述衬底的背侧制备微透镜结构的步骤包括：

在所述衬底的背侧制备一抗反射层，所述抗反射层覆盖暴露出的所述掺杂埋层；

在所述抗反射层背离所述衬底的一侧依次制备背侧金属、背侧钝化层、滤光片以及微透镜。