[发明专利]相移式光掩模及其制造方法

说明书

本发明公开一种相移式光掩模及其制造方法。相移式光掩模包括基板、相移层与透明层。相移层设置于基板上，且具有开口。透明层设置于开口中。上述相移式光掩模可具有较大的聚焦深度宽容度。

技术领域

本发明涉及一种光掩模及其制造方法，且特别是涉及一种相移式光掩模及其制造方法。

背景技术

在半导体制作工艺中，光刻技术扮演着举足轻重的角色，无论是在蚀刻、掺杂等制作工艺都需通过光刻制作工艺来达成。然而，在光刻制作工艺中，曝光的分辨率(resolution)是光刻品质的重要指标。相移式光掩模(phase shift mask，PSM)的光刻技术，即是为了获得较佳的分辨率而发展出的一种技术。

即使在使用相移式光掩模的情况下，由于孤立区(isolation region)中的图案较为疏松，所以容易产生聚焦深度宽容度(DOF window)不足的问题，进而导致图案转移能力不佳。因此，业界发展出一种具有次解析辅助图案(sub-resolution assistant feature，SRAF)的相移式光掩模来解决聚焦深度宽容度不足的问题。

然而，由于次解析辅助图案的设计受到空间的限制，因此并非光掩模上的任意图案都可以加上次解析辅助图案来增加聚焦深度宽容度。此外，次解析辅助图案也存在会产生侧叶(side lobe)的问题。

因此，如何进行一步地提升相移式光掩模的聚焦深度宽容度仍是目前业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种相移式光掩模，其可具有较大的聚焦深度宽容度。

本发明提供一种相移式光掩模的制造方法，其所制作出的相移式光掩模可具有较佳的图案转移能力。

本发明提出一种相移式光掩模，包括基板、相移层与透明层。相移层设置于基板上，且具有开口。透明层设置于开口中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，相移层的材料例如是金属硅化物、金属氟化物、金属硅氧化物、金属硅氮化物、金属硅氮氧化物、金属硅碳氧化物、金属硅碳氮化物、金属硅碳氮氧化物、合金薄层、金属薄层或其组合。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，透明层的消光系数例如是0。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，透明层的折射率例如是大于1。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，透明层例如是具有平坦的表面。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，透明层的高度可高于、等于或低于相移层的高度。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，透明层的材料例如是交联材料或二氧化硅。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，交联材料例如是混合有机硅氧烷聚合物(hybrid organic siloxane polymer，HOSP)、甲基硅倍半氧化物(methylsilsesquioxane，MSQ)或氢硅倍半氧化物(hydrogen silsesquioxane，HSQ)。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模中，可用于形成孤立区(isolation region)中的图案。

本发明提出一种相移式光掩模的制造方法，包括下列步骤。在基板上形成相移层，其中相移层具有开口。在开口中形成透明层。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模的制造方法中，透明层的消光系数例如是0。

依照本发明的一实施例所述，在上述的相移式光掩模的制造方法中，透明层的折射率例如是大于1。