[发明专利]聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法

权利要求书

1.一种聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）将聚碳硅烷先驱丝置于不锈钢网方盘上，放置在每个不锈钢网方盘上的聚碳硅烷先驱丝的质量不超过50g；

2）将装有聚碳硅烷先驱丝的不锈钢网方盘置于真空烘箱内；

3）将真空烘箱内的空气气氛压力抽真空至-0.02～-0.06MPa ；

4）将真空烘箱升温至165～195℃后，再恒温2～16h；

5）再将真空烘箱内的气氛压力抽真空至-0.085MPa ；

6）然后将真空烘箱升温至200～215℃后，再恒温1～2h；

7）停止加热，自然冷却至室温，得到负压氧化聚碳硅烷先驱丝。

2.根据权利要求1所述的聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法，其特征在于：步骤1）所述的不锈钢网方盘长250mm、宽200mm，网孔目数为100～300目。

3.根据权利要求1所述的聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法，其特征在于：步骤1）所述的聚碳硅烷先驱丝放置方式是平铺于不锈钢网方盘上。

4.根据权利要求1所述的聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法，其特征在于：步骤4）中真空烘箱的升温速度为20～150℃/h。

5.根据权利要求1所述的聚碳硅烷先驱丝的负压氧化不熔化方法，其特征在于：步骤6）中真空烘箱的升温速度为5～10℃/h。