[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器

权利要求书

1.一种非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度不同。

2.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

3.根据权利要求1所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，第一光栅和第二光栅的占空比为(0，1)范围内的任意值且两者占空比相等，或第一光栅和第二光栅的占空比分别在(0，0.5)和(0.5，1)范围且两者之和等于1。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的非对称结构相移光栅，其特征在于，所述第一光栅的耦合系数为κ₁，第二光栅的耦合系数为κ₂，κ₁与κ₂不等且满足κ₁: κ₂=H₁:H₂，其中，H₁和H₂分别为第一光栅和第二光栅的刻蚀深度，H₁≠H₂。

5.一种DFB半导体激光器，所述DFB半导体激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延层，DFB激光腔包括依次设置的光栅刻蚀阻止层、相移光栅、光栅覆盖层，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度不同，DFB半导体激光器两端面的输出功率不相等，以增大DFB半导体激光器的有效输出光功率。

6.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

7.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，第一光栅和第二光栅的占空比为(0，1)范围内的任意值且两者占空比相等，或第一光栅和第二光栅的占空比分别在(0，0.5)和(0.5，1)范围且两者之和等于1。

8.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器的两侧端面均镀有抗反射膜。

9.根据权利要求5~7中任一项所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器位于第二光栅侧端面的输出光功率为P₂，第一光栅侧端面的输出光功率为P₁，P₂与P₁不等且满足P₂:P₁=κ₁: κ₂=H₁:H₂，其中，κ₁和κ₂分别为第一光栅和第二光栅的耦合系数，κ₁与κ₂相等，H₁和H₂分别为第一光栅和第二光栅的刻蚀深度，H₁≠H₂。

10.根据权利要求5所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器为掩埋异质结型激光器或脊波导型激光器。