[发明专利]一种Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材及其制备方法有效
申请号: | 201610273313.3 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN105714169B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 喻吉良;郑欣;张如;李来平;蔡小梅;王峰;裴雅 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | C22C27/04 | 分类号: | C22C27/04;C22C30/00;C22C1/05;C22C1/03;B21C23/08 |
代理公司: | 西安创知专利事务所61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710016*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mo si hf al 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 6%~18%,B 7%~19%,Hf 5%~15%,Al 6%~14%,余量为Mo和不可避免的杂质;
该Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材的制备方法包括以下步骤:
步骤一、采用湿法球磨的方法将钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉混合均匀,真空干燥后得到混合粉末;
步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型,得到坯料,然后将所述坯料置于烧结炉中,在真空度不大于1×10-1Pa,温度为1700℃~1800℃的条件下保温2h~3h进行烧结处理,随炉冷却后得到烧结体;
步骤三、将步骤二中所述烧结体置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于5×10-2Pa的条件下真空自耗电弧熔炼3~5次,随炉冷却后进行扒皮处理,得到铸锭;所述真空电弧熔炼的电流为10kA~12kA,所述真空电弧熔炼的电压为20V~40V;
步骤四、将步骤三中所述铸锭在挤压温度为1300℃~1500℃,挤压比为6~8的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到半成品棒坯;
步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1200℃~1400℃,挤压比为4~7的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材。
2.根据权利要求1所述的一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 8%~16%,B 9%~17%,Hf 7%~13%,Al 8%~12%,余量为Mo和不可避免的杂质。
3.根据权利要求2所述的一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 14%,B 16%,Hf 10%,Al 10%,余量为Mo和不可避免的杂质。
4.一种制备如权利要求1、2或3所述Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、采用湿法球磨的方法将钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉混合均匀,真空干燥后得到混合粉末;
步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型,得到坯料,然后将所述坯料置于烧结炉中,在真空度不大于1×10-1Pa,温度为1700℃~1800℃的条件下保温2h~3h进行烧结处理,随炉冷却后得到烧结体;
步骤三、将步骤二中所述烧结体置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于5×10-2Pa的条件下真空自耗电弧熔炼3~5次,随炉冷却后进行扒皮处理,得到铸锭;所述真空电弧熔炼的电流为10kA~12kA,所述真空电弧熔炼的电压为20V~40V;
步骤四、将步骤三中所述铸锭在挤压温度为1300℃~1500℃,挤压比为6~8的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到半成品棒坯;
步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1200℃~1400℃,挤压比为4~7的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉的质量纯度均不小于99%。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述湿法球磨的过程中采用无水乙醇为分散剂,所述无水乙醇的体积为硅粉、硼粉、铪粉、铝粉和钼粉质量之和的1.5~3倍,其中体积的单位为mL,质量的单位为g。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述湿法球磨的速率为300rpm~400rpm,球料质量比为(6~12)∶1,球磨时间为10h~30h。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述硅粉的粒径不大于8μm,所述硼粉的粒径不大于5μm,所述铝粉的粒径不大于9μm,所述铪粉和钼粉的粒径均不大于10μm。
9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤四中所述挤压温度为1350℃~1450℃,挤压比为6.5~7.5。
10.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤五中所述挤压温度为1250℃~1350℃,挤压比为5.5~6.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北有色金属研究院,未经西北有色金属研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610273313.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。