[发明专利]一种Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610273313.3 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN105714169B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 喻吉良;郑欣;张如;李来平;蔡小梅;王峰;裴雅 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C30/00;C22C1/05;C22C1/03;B21C23/08
代理公司: 西安创知专利事务所61213 代理人: 谭文琰
地址: 710016*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 mo si hf al 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 6%~18%,B 7%~19%,Hf 5%~15%,Al 6%~14%,余量为Mo和不可避免的杂质;

该Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材的制备方法包括以下步骤:

步骤一、采用湿法球磨的方法将钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉混合均匀,真空干燥后得到混合粉末;

步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型,得到坯料,然后将所述坯料置于烧结炉中,在真空度不大于1×10-1Pa,温度为1700℃~1800℃的条件下保温2h~3h进行烧结处理,随炉冷却后得到烧结体;

步骤三、将步骤二中所述烧结体置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于5×10-2Pa的条件下真空自耗电弧熔炼3~5次,随炉冷却后进行扒皮处理,得到铸锭;所述真空电弧熔炼的电流为10kA~12kA,所述真空电弧熔炼的电压为20V~40V;

步骤四、将步骤三中所述铸锭在挤压温度为1300℃~1500℃,挤压比为6~8的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到半成品棒坯;

步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1200℃~1400℃,挤压比为4~7的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材。

2.根据权利要求1所述的一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 8%~16%,B 9%~17%,Hf 7%~13%,Al 8%~12%,余量为Mo和不可避免的杂质。

3.根据权利要求2所述的一种Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材,其特征在于,由以下原子百分比的成分组成:Si 14%,B 16%,Hf 10%,Al 10%,余量为Mo和不可避免的杂质。

4.一种制备如权利要求1、2或3所述Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

步骤一、采用湿法球磨的方法将钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉混合均匀,真空干燥后得到混合粉末;

步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型,得到坯料,然后将所述坯料置于烧结炉中,在真空度不大于1×10-1Pa,温度为1700℃~1800℃的条件下保温2h~3h进行烧结处理,随炉冷却后得到烧结体;

步骤三、将步骤二中所述烧结体置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于5×10-2Pa的条件下真空自耗电弧熔炼3~5次,随炉冷却后进行扒皮处理,得到铸锭;所述真空电弧熔炼的电流为10kA~12kA,所述真空电弧熔炼的电压为20V~40V;

步骤四、将步骤三中所述铸锭在挤压温度为1300℃~1500℃,挤压比为6~8的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到半成品棒坯;

步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1200℃~1400℃,挤压比为4~7的条件下进行挤压,自然冷却后进行扒皮处理,得到Mo-Si-B-Hf-Al合金棒材。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉的质量纯度均不小于99%。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述湿法球磨的过程中采用无水乙醇为分散剂,所述无水乙醇的体积为硅粉、硼粉、铪粉、铝粉和钼粉质量之和的1.5~3倍,其中体积的单位为mL,质量的单位为g。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述湿法球磨的速率为300rpm~400rpm,球料质量比为(6~12)∶1,球磨时间为10h~30h。

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤一中所述硅粉的粒径不大于8μm,所述硼粉的粒径不大于5μm,所述铝粉的粒径不大于9μm,所述铪粉和钼粉的粒径均不大于10μm。

9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤四中所述挤压温度为1350℃~1450℃,挤压比为6.5~7.5。

10.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤五中所述挤压温度为1250℃~1350℃,挤压比为5.5~6.5。

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