[发明专利]一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法

权利要求书

1.一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

一，在衬底表面生长至少一层U/N-GaN单晶薄膜，在U/N-GaN单晶薄膜中生成纵向穿透位错；

二，在U/N-GaN单晶薄膜上生长应力释放层，并在应力释放层中形成V型凹槽，V型凹槽位于穿透位错正上方，由穿透位错二维生长面扩大开口形成；

三，在具有V型凹槽的应力释放层上生长多量子阱有源层，并在有源层上延伸保持V型凹槽形状，且在水平生长面上持续扩大V型凹槽的面积；

四，在有源层上生长P-AlGaN层，并在P-AlGaN层上延伸保持V型凹槽；

五，在N₂/H₂/NH₃混合气体氛围中退火烤掉部分或全部V型凹槽斜面上的多量子阱有源层；

六，生长一层U-GaN覆盖层在V型凹槽斜面并延伸至P-AlGaN层表面；

七，生长P-GaN将V型凹槽填平并覆盖在延伸至P-AlGaN层表面的U-GaN上。

2.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述应力释放层为AlxInyGa(1-x-y)N的单层、多层、超晶格或多量子阱结构，其中0<=x,y<=1，每一层的厚度0-1um。

3.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述V型凹槽开口大小0-1um，深度0-1um。

4.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述多量子阱有源层为AlxInyGa(1-x-y)N的单层、多层、超晶格或多量子阱结构，其中0<=x,y<=1，每一层的厚度0-1um。

5.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述U-GaN覆盖层的厚度为0-100nm。

6.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述P-GaN为P型AlxInyGa(1-x-y)N的单层、多层、超晶格或多量子阱结构，其中0<=x,y<=1，每一层的厚度0-1um。

7.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述衬底包含Al₂O₃、SiC、Si或GaN。

8.如权利要求1所述的一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：所述N₂/H₂/NH₃混合气体的各组分重量百分比为a、b、c，其中0<a、b<100%、c<100%，所述退火温度高于700℃低于1200℃。