[发明专利]石斛栽培营养土及其栽培方法在审

专利信息
申请号: 201610273815.6 申请日: 2016-04-28
公开(公告)号: CN105766593A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 贺汉勇 申请(专利权)人: 开县安德农业科技开发有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 郑自群
地址: 405400 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 石斛 栽培 营养 及其 方法
【权利要求书】:

1.石斛栽培营养土,其特征在于,由以下重量原料的组分组成:稀土30~50g、尿素 3~5g、蛋白粉3~5g、磷粉2~3g、硫酸亚铁1~1.5g、硫酸锌0.5~1g、骨料0.5~1g、 菜籽油渣1~1.5g、乙二胺四乙酸二钠2~5mg、磷酸二氢钾2~4mg、多菌灵抗菌剂0.5~ 1g、水10~30g。

2.根据权利要求1所述的石斛栽培营养土,其特征在于,由以下重量原料的组分组成: 其优选为,稀土40g、尿素4g、蛋白粉4g、磷粉2.5g、硫酸亚铁1g、硫酸锌0.7g、骨料 0.8g、菜籽油渣1.5g、乙二胺四乙酸二钠3mg、磷酸二氢钾3mg、多菌灵抗菌剂0.8g、水 20g。

3.石斛栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,混合营养土,将稀土、尿素、蛋白粉、磷粉、硫酸亚铁、硫酸锌、骨料、菜 籽油渣、乙二胺四乙酸二钠、磷酸二氢钾、多菌灵抗菌剂和水进行混合得到营养土,将其 放置于温度为50~80℃的阴湿处放置5~12小时;

第二步,铺设栽培基质,将干燥后的稻草根茎剁碎,将其与上述营养土进行混合,将 混合后的物质铺设在种植穴最下层,然后填入种植土;

第三步,种植,将石斛育苗植入种植穴,然后浇水;

第四步,保温,将干燥的稻草截成长度为15~30cm的短截,沿石斛育苗周向铺设一层, 其厚度为1~2cm;

第五步,生长管理,浇水周期为两天一次,每次浇水量每株为2~3.5ml,种植床上设 有遮挡阳光的塑料膜;

第六步,花期施肥,在石斛花期,将第一步的营养土,添加在植株的周围,每株添加5~ 10g;

第七步,收割,成熟期进行收割。

4.根据权利要求3所述的石斛栽培方法,其特征在于,第一步中,优选方案营养土放 置于温度为60℃的阴湿处放置8小时。

5.根据权利要求3所述的石斛栽培方法,其特征在于,第二步中,稻草根茎剁碎,将 其与上述营养土进行混合,稻草和营养土的比例为11:100。

6.根据权利要求3所述的石斛栽培方法,其特征在于,第四步中,将干燥的稻草截成 长度为20cm的短截,沿石斛育苗周向铺设一层,其厚度为1cm。

7.根据权利要求3所述的石斛栽培方法,其特征在于,第六步中,每株石斛的营养土 添加7g。

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