[发明专利]一种低功耗高压十二通道选择系统

权利要求书

1.一种低功耗高压十二通道选择系统，包括电池组电路、单通道高压开关电路、偏置电压电路，其特征在于：所述电池组电路分别与单通道高压开关电路和偏置电压电路相连接；电池组电路、单通道高压开关电路、偏置电压电路与GND连接；电池组电路、单通道高压开关电路、偏置电压电路与EN连接；单通道高压开关电路与偏置电压电路连接；单通道高压开关电路与电池组电路相连接；电池组电路与偏置电压连接；电池组电路提供电路运行的电压电流，偏置电压电路为电路提供电路所需的偏置电压，单通道高压开关电路对十二通路分别进行选通；其中所述的单通道高压开关电路包括八个N型DMOS管、三个P型DMOS管、七个N型MOS管、三个P型MOS管、三个齐纳二极管、三个电阻和两个反相器；其中所述的偏置电压电路包括两个P型MOS管、两个P型DMOS管、两个N型DMOS管、一个电阻、一个齐纳二极管和一个反相器。

2.根据权利要求1所述的低功耗高压十二通道选择系统，其特征在于：所述单通道高压开关电路的第一N型DMOS管的源极、齐纳二极管D1的负极与电阻R1的一端连接；齐纳二极管D1的正极、电阻R1的另一端、第一P型MOS管的漏极、第一P型DMOS管的栅极与第五N型DMOS管的漏极连接；第五N型DMOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；第二N型DMOS管的源极、齐纳二极管D2的负极与电阻R2的一端连接；齐纳二极管D2的正极、电阻R2的另一端、第一P型MOS管的栅极与第六N型DMOS管的漏极连接；第六N型DMOS管的栅极与反相器INV1的输出端连接；第六N型DMOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接；第一P型DMOS管的漏极与第二P型DMOS管的漏极连接；第二P型DMOS管的栅极、齐纳二极管D3的正极、第三P型DMOS管的漏极与第七N型DMOS管的漏极连接；第七P型DMOS管的源极与第四N型MOS管的漏极连接；第三N型DMOS管的源极、第一N型MOS管的漏极和源极与第四N型DMOS管的源极连接；第二P型MOS管的漏极与第三P型DMOS管的源极连接；第二P型MOS管的栅极、第三P型DMOS管的栅极、第三P型MOS管的栅极和漏极与电阻R3的一端连接；电阻R3的另一端与第八N型DMOS管的漏极连接；第八N型DMOS管的源极与第六N型MOS管的漏极连接；第一N型DMOS管的栅极、第二N型DMOS管的栅极、第一P型DMOS管的源极、第三N型DMOS管的漏极与输入端VIN连接；齐纳二极管D2的负极与偏置电压Vb连接；第二P型DMOS管的源极、第四N型DMOS管的漏极与输出端VOUT连接；第五N型DMOS管的栅极、反相器INV1的输入端、第七N型DMOS管的栅极、第四N型DMOS管的栅极、第一N型MOS管的源极、第三N型DMOS管的栅极与数字信号输入端DIN连接；第八N型DMOS管的栅极、反相器INV2的输入端与使能信号输入端EN连接；第七N型MOS管的栅极和漏极、第六N型MOS管的栅极、第四N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极、第二N型MOS管的栅极与偏置电流输入端IBIAS连接；第一N型DMOS管的漏极、第二N型DMOS管的漏极、第二P型MOS管的源极、第三P型MOS管的源极与电源电压输入端VDD连接；第七N型MOS管的源极、第六N型MOS管的源极、第五N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极与地GND连接。

3.根据权利要求1所述的低功耗高压十二通道选择系统，其特征在于：所述偏置电压电路的第一P型MOS管的栅极和漏极、第二P型MOS管的栅极、第一P型DMOS管的栅极与电阻R1的一端连接；电阻R1的另一端与第一N型DMOS管的漏极连接；第一P型DMOS管的源极与第二P型MOS管的漏极连接；反相器INV1的输出端与第二N型DMOS管的栅极连接；第一N型DMOS管的栅极、反相器INV1的输入端与使能信号EN连接；第一P型DMOS管的漏极、齐纳二极管D1的负极、第二P型DMOS管的源极与输出端VOUT连接；齐纳二极管的正极、第二P型DMOS管的栅极、第二N型DMOS管的漏极与输入端VIN连接；第一N型DMOS管的源极与偏置电流输入端IBIAS连接；第一P型MOS管的源极、第二P型MOS管的源极与电源VDD连接；第二P型DMOS管的漏极、第二N型DMOS管的源极与地GND连接。