[发明专利]一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法有效

专利信息
申请号: 201610274316.9 申请日: 2016-04-28
公开(公告)号: CN105957706B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 包小倩;卢克超;高学绪;李纪恒 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 压力 dy sup tb 制备 性能 钕铁硼 磁体 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于稀土永磁材料领域,特别是涉及到一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法。

背景技术

烧结钕铁硼磁体作为第三代永磁材料,具有优异的磁性能,在新能源汽车、风力发电、医疗器械、VCM、永磁高铁等领域得到广泛应用。由于稀土永磁材料在低端领域利润较薄,而且会造成资源浪费,因此高端领域的应用,是推动烧结钕铁硼行业发展的重要动力。高端应用方面对磁体的剩磁Br、矫顽力Hci、磁能积(BH)max、方形度、耐热稳定性和耐蚀性能等都具有较高的要求。特别是烧结钕铁硼磁体的矫顽力不到理论值30%,仍有很大的发展空间,而且矫顽力提高可以提高磁体的耐热稳定性、不可逆损失、方形度,因此提高矫顽力成为烧结钕铁硼永磁材料发展的关键。

烧结钕铁硼磁体的矫顽力与显微组织有密切关系,包括Nd2Fe14B晶粒(2:14:1相或者主相)的成分、大小、形状以及边界结构(晶粒外延层、晶界相的形态、分布等)。通过在熔炼的过程中直接添加重稀土元素Dy/Tb,取代主相Nd2Fe14B中的Nd原子形成各向异性场较高的(Nd,Dy/Tb)2Fe14B相,是提高磁体矫顽力最传统和有效的方式。但是由于重稀土原子与Fe原子的反铁磁性耦合,添加过多重稀土元素必然会大幅度降低磁体的剩磁和磁能积;而且添加过多重稀土元素必然会提高生产成本,不利于企业竞争,也会造成稀土资源浪费。双合金法和晶界扩散技术是最近几年来研究较多的能够显著提高磁体矫顽力的新技术,能显著提高磁体矫顽力,提高重稀土元素的利用率,且对剩磁影响较小。

晶界扩散技术比双合金法更高效,成为高矫顽力烧结钕铁硼磁体的研究热点。晶界扩散技术是在钕铁硼磁体表面附着一层含有Dy/Tb等重稀土元素的金属、合金或者化合物,然后经过扩散热处理,重稀土Dy/Tb沿着磁体晶界进入磁体内部,取代Nd2Fe14B晶粒表层的Nd原子形成磁晶各向异性场更高的硬磁化层,从而提高磁体的矫顽力。晶界扩散工艺得到了广泛研究,扩散源也有众多附着方式,比如蒸镀法(王庆凯,于永江,赵军涛,李岩,李广军,马玉坤.一种提高钕铁硼磁力矫顽力的装置及方法,CN102969110)、溅射法(徐峰,陈光,卢国文,朱海南,陆凤琪.一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法,CN102280240)、表面涂覆法(罗阳,罗惇.钕铁硼磁体晶界扩散工艺,CN101845637)、电泳沉积法(周磊,王琳,李建,喻晓军.稀土永磁材料的制备方法,CN102776547)等。但是这些扩散源的附着方式通常只适合薄片磁体,且扩散源从磁体表面到磁体心部的成份通常存在浓度梯度,即存在较大组织结构和性能的不均匀性。

发明内容

本发明目的是为了解决现有晶界扩散Dy/Tb技术中只适合厚度较小的薄片磁体,Dy/Tb扩散需要较长的路径,Dy/Tb浓度随磁体深度分布的不均匀性,进一步影响组织结构和性能不均匀性的问题。

一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法,其特征在于用压力浸渗的方式将Dy/Tb盐的有机溶液在部分致密(即具有一定孔隙率)的钕铁硼预 烧坯内“过滤”,部分Dy3+/Tb3+留在孔隙内,随后经过烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼的矫顽力。

具体工艺步骤如下:

1)对钕铁硼压坯真空预烧结,得到致密度为65-95%(即孔隙率5-35%)的预烧结坯,并对表面清洁处理;

2)将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,得到具有浓度为0.1-5.0mol/l的Dy3+/Tb3+有机溶液,Dy/Tb盐为(Dy/Tb)Cl3、(Dy/Tb)F3、(Dy/Tb)(NO3)3、(Dy/Tb)(ClO4)3、(Dy/Tb)2(SO4)3、(Dy/Tb)2(SiO4)3等中的至少一种,有机溶剂为乙醇、丙酮、二氯甲烷、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜等中的至少一种;

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