[发明专利]一种基于纳米铜的导电复合材料及其制备工艺在审
| 申请号： | 201610275777.8 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105741918A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王曼卿;李程 | 申请（专利权）人： | 苏州巨邦新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 | 代理人： | 马广旭 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 导电 复合材料 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于纳米铜的导电复合材料，其特征在于：从下至上依次设置有ITO导电膜基材、石墨烯层及纳米铜导电层。
2.根据权利要求1所述的一种基于纳米铜的导电复合材料，其特征在于，所述ITO导电膜基材的厚度为100-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于纳米铜的导电复合材料，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为500-700nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于纳米铜的导电复合材料，其特征在于，所述纳米铜导电层的厚度为150-300nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于纳米铜的导电复合材料，其特征在于，所述纳米铜导电层含有纳米铜粉，纳米铜粉的粒径为30-50nm。
6.一种基于纳米铜的导电复合材料的制备工艺，其特征在于：包含以下步骤：
（1）采用化学气相沉积法在催化的金属衬底上沉积所述石墨烯层，再将所述石墨烯层转移至所述ITO导电膜基材表面；
（2）将纳米铜粒子均匀分散于有机溶剂中，采用超声分散至少2h，将得到的溶液喷涂于石墨烯层表面，接着真空干燥，并在惰性氛围保护下进行烧结，烧结温度为100-200℃，最终得到一种基于纳米铜的导电复合材料。
7.根据权利要求6所述的一种基于纳米铜的导电复合材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤（2）中的有机溶剂为乙醇、乙二醇中的任一种或其组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州巨邦新材料科技有限公司，未经苏州巨邦新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610275777.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
