[发明专利]成像装置、成像方法及图像传感器读取方法有效
申请号: | 201610279373.6 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN107333074B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 邵泽旭;徐辰 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 200131 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 方法 图像传感器 读取 | ||
1.一种成像装置,包括:
像素阵列,其包括排列成行和列的多个像素;其中,至少一个像素包括:
第一电容,其经配置以存储重置信号;以及
第二电容,其经配置以存储像素信号;
多个列电路,其中,至少一个列电路从第一电容读取重置信号,从第二电容读取像素信号,并产生重置信号与像素信号的差;
其中,所述像素经配置以在第一电容存储重置信号后在第二电容中存储像素信号。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述像素进一步包括:
输出晶体管,其连接在像素的源极跟随晶体管和接地之间;
输出源极跟随晶体管,其连接在第一电容和第二电容的输出与行选择晶体管。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述像素进一步包括重置存储开关和重置读出开关;其中重置存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第一电容Crst之间,重置读出开关连接在第一电容与输出源极跟随晶体管之间。
4.如权利要求3所述的装置,其中所述像素进一步包括信号存储开关和信号读出开关;其中信号存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第二电容之间,信号读出开关连接在第二电容与输出源极跟随晶体管之间。
5.如权利要求1所述的装置,其中像素进一步包括重置存储开关;其中重置存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第一电容之间;以及信号存储开关和信号读出开关;其中信号存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第二电容之间,信号读出开关连接在第二电容与输出源极跟随晶体管之间。
6.如权利要求1所述的装置,其中像素进一步包括重置存储开关,其连接在源极跟随晶体管的输出与第一电容之间;信号存储开关和信号读出开关,其中信号存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第二电容之间,信号读出开关连接在第二电容与输出源极跟随晶体管之间;以及存储开关,其连接在重置存储开关和信号存储开关的输入与源极跟随晶体管之间。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述列电路包括读出电路,其包括
放大器,其中放大器的负向输入端通过输入电容连接到列输出线;
滤波电容,其连接在放大器的输出端和负向输入端之间;以及
清零开关,其连接在放大器的输出端Vout和负向输入端Vinn之间;
其中,所述输入电容经控制在列放大器处于自动清零阶段连接到第一电容;其中,所述输入电容经控制在列放大器处于放大阶段连接到第一电容和第二电容。
8.如权利要求1所述的装置,其中所述第一电容的电容值等于第二电容的电容值。
9.如权利要求7所述的装置,其中在所述自动清零和放大阶段,负向输入端的电压保持不变。
10.如权利要求1所述的装置,其中所述像素阵列包括第一像素群组和第二像素群组;其中所述第一像素群组对应第一转移电压,所述第二像素群组对应第二转移电压。
11.一种成像方法,包括以下步骤:在排列成行和列的像素阵列中,对于至少一个像素,
重置存储区域,产生重置信号,并将重置信号存储在第一存储元件中;
将光电二极管中的像素信号转移到所述存储区域,产生像素信号,并将像素信号存储在第二存储元件中;以及,
从第一和第二存储元件中获得重置信号和像素信号,并得出重置信号和像素信号的差。
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