[发明专利]新型U型槽IGBT及其制作方法有效
| 申请号： | 201610280931.0 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107342317B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 型槽 igbt 及其 制作方法 | ||
1.一种新型U型槽IGBT，其特征在于，包括：
半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间的U型槽，U型槽底部位于半导体衬底内，U型槽内表面覆盖有氧化层，且氧化层覆盖范围从U型槽内表面延伸至部分第一源区和部分第二源区，氧化层上覆盖有多晶硅层，且多晶硅层填满U型槽，
其中，元胞区还包括位于半导体衬底表面内的第一载流子存储区和第二载流子存储区，其中，第一载流子存储区设置在第一基区外围以将第一基区与半导体衬底分隔开，并且第一载流子存储区的与U型槽位于半导体衬底表面内的部分的深度相同的部分被配置为不与所述U型槽位于半导体衬底表面内的部分接触，第二载流子存储区设置在第二基区外围以将第二基区与半导体衬底分隔开，并且第二载流子存储区的与U型槽位于半导体衬底表面内的部分的深度相同的部分被配置为不与所述U型槽位于半导体衬底表面内的部分接触。
2.根据权利要求1所述的新型U型槽IGBT，其特征在于，元胞区还包括钝化层和第一金属层，其中，钝化层覆盖多晶硅层、部分第一源区和部分第二源区，第一金属层覆盖钝化层、部分第一源区、部分第二源区、部分第一基区和部分第二基区。
3.根据权利要求2所述的新型U型槽IGBT，其特征在于，还包括位于半导体衬底背面的发射区和覆盖发射区的第二金属层。
4.根据权利要求1所述的新型U型槽IGBT，其特征在于，第一基区、第二基区的结深均大于U型槽的深度。
5.根据权利要求1所述的新型U型槽IGBT，其特征在于，U型槽位于半导体衬底表面内的部分与第一基区、第二基区不接触。
6.根据权利要求3所述的新型U型槽IGBT，其特征在于，第一源区、第二源区和半导体衬底为第一导电类型的掺杂区，第一基区、第二基区和发射区为第二导电类型的掺杂区，其中，第一导电类型与第二导电类型不相同。
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