[发明专利]位移测量传感器在审

专利信息
申请号: 201610281978.9 申请日: 2016-04-29
公开(公告)号: CN105783691A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 白建民;王建国;黎伟 申请(专利权)人: 无锡乐尔科技有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 翁斌
地址: 214000 江苏省无锡市滨湖区无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 位移 测量 传感器
【权利要求书】:

1.一种位移测量传感器,其特征在于:包括磁性传感单元组(10)以及编 码模块(20),所述编码模块(20)包含硬磁材料,磁性传感单元组(10)包 括三个以上的磁场敏感方向相同的磁性传感单元,所述磁性传感单元沿着编码 模块(20)的移动方向排成一列。

2.根据权利要求1所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块(20) 由硬磁材料构成。

3.根据权利要求1所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块(20) 的表面具有硬磁材料,或所述编码模块(20)的表面具有硬磁材料和软磁材料 的混合物。

4.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁 性传感单元由磁电阻构成,所述磁电阻由一个或两个以上的磁性传感元件构成, 所述两个以上的磁性传感元件串联和/或并联。

5.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感元 件为各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁性隧道结元件。

6.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为单电阻结构,单电阻结构包括一个磁电阻。

7.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为半桥结构,半桥结构包括两个串联的磁电阻。

8.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为全桥结构,全桥结构包括两个并联的半桥结构,半桥结构包括两个串联的 磁电阻。

9.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述位 移测量传感器还包括计数器,所述计数器与所述磁性传感单元组(10)电连接。

10.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述 位移测量传感器还包括模数转化电路,所述模数转化电路与所述磁性传感单元 组(10)电连接。

11.一种位移测量传感器,其特征在于:包括磁性传感单元组(10)、编 码模块(20)以及磁体(30),所述编码模块(20)包含磁性材料且其具有磁 图案,磁图案的形状对应不同的编码,磁性传感单元组(10)包括三个以上的 磁场敏感方向相同的磁性传感单元,所述磁性传感单元沿着编码模块(20)的 移动方向排成一列。

12.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁体(30) 为电磁铁或永磁体。

13.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块 (20)由磁性材料构成。

14.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块 (20)的表面具有磁性材料。

15.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述磁性传感单元由磁电阻构成,所述磁电阻由一个或两个以上的磁性传感元件 构成,所述两个以上的磁性传感元件串联和/或并联。

16.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 元件为各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁性隧道结元件。

17.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为单电阻结构,单电阻结构包括一个磁电阻。

18.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为半桥结构,半桥结构包括两个串联的磁电阻。

19.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为全桥结构,全桥结构包括两个并联的半桥结构,半桥结构包括两个串联 的磁电阻。

20.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述位移测量传感器还包括计数器,所述计数器与所述磁性传感单元组(10)电 连接。

21.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述位移测量传感器还包括模数转化电路,所述模数转化电路与所述磁性传感单 元组(10)电连接。

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