[发明专利]位移测量传感器在审
申请号: | 201610281978.9 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105783691A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 白建民;王建国;黎伟 | 申请(专利权)人: | 无锡乐尔科技有限公司 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 翁斌 |
地址: | 214000 江苏省无锡市滨湖区无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位移 测量 传感器 | ||
1.一种位移测量传感器,其特征在于:包括磁性传感单元组(10)以及编 码模块(20),所述编码模块(20)包含硬磁材料,磁性传感单元组(10)包 括三个以上的磁场敏感方向相同的磁性传感单元,所述磁性传感单元沿着编码 模块(20)的移动方向排成一列。
2.根据权利要求1所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块(20) 由硬磁材料构成。
3.根据权利要求1所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块(20) 的表面具有硬磁材料,或所述编码模块(20)的表面具有硬磁材料和软磁材料 的混合物。
4.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁 性传感单元由磁电阻构成,所述磁电阻由一个或两个以上的磁性传感元件构成, 所述两个以上的磁性传感元件串联和/或并联。
5.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感元 件为各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁性隧道结元件。
6.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为单电阻结构,单电阻结构包括一个磁电阻。
7.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为半桥结构,半桥结构包括两个串联的磁电阻。
8.根据权利要求4所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感单 元为全桥结构,全桥结构包括两个并联的半桥结构,半桥结构包括两个串联的 磁电阻。
9.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述位 移测量传感器还包括计数器,所述计数器与所述磁性传感单元组(10)电连接。
10.根据权利要求1-3任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所述 位移测量传感器还包括模数转化电路,所述模数转化电路与所述磁性传感单元 组(10)电连接。
11.一种位移测量传感器,其特征在于:包括磁性传感单元组(10)、编 码模块(20)以及磁体(30),所述编码模块(20)包含磁性材料且其具有磁 图案,磁图案的形状对应不同的编码,磁性传感单元组(10)包括三个以上的 磁场敏感方向相同的磁性传感单元,所述磁性传感单元沿着编码模块(20)的 移动方向排成一列。
12.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁体(30) 为电磁铁或永磁体。
13.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块 (20)由磁性材料构成。
14.根据权利要求11所述的位移测量传感器,其特征在于:所述编码模块 (20)的表面具有磁性材料。
15.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述磁性传感单元由磁电阻构成,所述磁电阻由一个或两个以上的磁性传感元件 构成,所述两个以上的磁性传感元件串联和/或并联。
16.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 元件为各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁性隧道结元件。
17.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为单电阻结构,单电阻结构包括一个磁电阻。
18.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为半桥结构,半桥结构包括两个串联的磁电阻。
19.根据权利要求15所述的位移测量传感器,其特征在于:所述磁性传感 单元为全桥结构,全桥结构包括两个并联的半桥结构,半桥结构包括两个串联 的磁电阻。
20.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述位移测量传感器还包括计数器,所述计数器与所述磁性传感单元组(10)电 连接。
21.根据权利要求11-14任一项所述的位移测量传感器,其特征在于:所 述位移测量传感器还包括模数转化电路,所述模数转化电路与所述磁性传感单 元组(10)电连接。
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