[发明专利]一种金属微针及其制备方法在审
| 申请号： | 201610282977.6 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107335131A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 郭文平;许南发;程金康;郭明灿 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | A61M37/00 | 分类号： | A61M37/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261031 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属微针，其特征在于，包括金属基座，所述金属基座上设有多根金属针柱，每根所述金属针柱均所述金属基座垂直设置，且每根所述金属针柱的端部均设有金属针尖，所述金属基座、每个所述金属针尖和每根所述金属针柱均由惰性金属制成。
2.根据权利要求1所述的金属微针，其特征在于，所述金属基座的厚度为20～3000微米。
3.根据权利要求1所述的金属微针，其特征在于，所有所述金属针柱均匀分布设置在所述金属基座上，且每个所述金属针尖均为棱锥结构。
4.一种权利要求1至3的金属微针的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
S10: 选择合适晶向的硅基板，清洗干净；
S20: 在所述硅基板上沉积SiO2形成SiO2掩膜层，利用微纳米光刻工艺在所述SiO2掩膜层上做SIO2孔洞掩膜保护图形；
S30: 利用硅各相异性腐蚀液在所述SiO2掩膜层保护图形下腐蚀所述硅基板，得到下凹棱锥结构；
S40: 利用厚胶光刻工艺，在所述下凹棱锥结构上套刻，形成厚胶电镀图层；
S50：在所述厚胶电镀图层上蒸镀一层金属导电层；
S60：利用电镀工艺在所述金属导电层上再镀层金属；
S70：再多次蒸镀金属层及电镀直至得到一定厚度的金属微针图形层；
S80：利用硅腐蚀液，腐蚀背面的所述硅基板，得到具有结构的金属微针。
5.根据权利要求 4所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，所述步骤S10中所述硅基板的为110晶向的单晶硅。
6.根据权利要求4所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，所述步骤S20中在所述硅基板上利用PECVD沉积一层厚度100～5000nm的SiO2薄膜, 形成所述SiO2掩膜层。
7.根据权利要求4所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，所述步骤S20中在所述SiO2薄膜上制作SiO2转移图形，利用BOE腐蚀SiO2薄膜，去掉所述SiO2转移图形，制得图形尺寸为10～1000微米的SIO2孔洞掩膜保护图形。
8.根据权利要求4所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，所述步骤S30中利用KOH、IPA和H2O混合液腐蚀所述硅基板。
9.根据权利要求4所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，所述步骤S60中在CrO3/H2SO4/H2O电解液上，利用pb/sn合金为阳极材料，电镀一层铬。
10.根据权利要求4至9任一项所述的微针图形及其制备方法，其特征在于，在所述步骤S80之前，还包括步骤：利用KOH/IPA/H2O硅腐蚀液去除所述硅基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东元旭光电股份有限公司，未经山东元旭光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610282977.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
