[发明专利]一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610283991.8 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331768A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 双层 导电 硬掩模 刻蚀 方法 | ||
1.一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；
步骤S2：在所述衬底上依次形成钽膜层和氮化钛膜层；
步骤S3：图形化转移磁性隧道结图案到所述氮化钛膜层，使用光刻胶和有机抗反射层完成对所述图案的图形化定义；
步骤S4：采用Cl2/CH4混合气体干刻蚀所述氮化钛膜层，使所述图案转移到所述钽膜层；
步骤S5：采用HCl/He/O2对所述氮化钛膜层和所述钽膜层进行选择性刻蚀，以完成对双层导电硬掩模的图案化；
步骤S6：采用氧气灰化工艺除去多余的所述光刻胶和所述有机抗反射层。
2.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述磁性隧道结多层膜的厚度为15～40nm。
3.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述钽膜层的厚度为50～200nm，所述氮化钛膜层的厚度为20～100nm。
4.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述有机抗反射层的厚度为30～100nm，所述光刻胶的厚度为90～250nm。
5.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述HCl的流量范围为0～60sccm。
6.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述He的流量范围为0～140sccm。
7.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述O2的流量范围为0～5sccm。
8.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述HCl/He/O2混合气体中HCl的含量为20～40％。
9.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，所述HCl/He/O2混合气体中O2的含量为0.0～2.0％。
10.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结双层导电硬掩模的刻蚀方法，其特征在于，干刻蚀双层硬掩模所采用的压强为20～60mT。
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