[发明专利]磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法在审
申请号: | 201610284932.2 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN105734515A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 | 申请(专利权)人: | 河南鸿昌电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461500 河南省许昌*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 致冷 件晶板 镀膜 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法,具体地说是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法。
背景技术
致冷件包括晶粒和瓷板,所述的晶粒主要成分是三碲化二铋,晶粒是由晶板切割而成的,将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层,以便晶粒和瓷板很好地结合。
现有技术中,使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的,这样的装置具有镀膜材料(镍、钯或银)浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。
采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料(镍、钯或银)热熔化并喷涂到晶板上,也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。
发明内容
本发明的目的就是针对上述缺点,提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜方法
本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置这样实现的:磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括机架,在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置,所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
进一步地讲,所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置。
本发明致冷件晶板镀膜方法这样实现的:磁控溅射致冷件晶板镀膜方法,将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜,镀膜的耗材是镍、钯或银,可以形成一层镀膜的半导体晶板。
较好的技术方案是:溅射的条件是加速电压:350~410V、电流密度:30~50mA/cm、气压:7~12mTorr、磁场约:200~220G、功率密度:50~60W/cm。
本发明的有益效果是:这样的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。
这样的致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。
附图说明
图1是本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置的结构示意图。
其中:1、机架2、传送装置3、磁控溅射装置4、放置盘5、送料斗6、收集斗7、检测装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1所示,磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括机架1,在机架上具有传送装置2,在传送装置上面安装磁控溅射装置3,所述的传送装置上具有晶板的放置盘4。这样,使用时晶板就放置在放置盘上,晶板就在磁控溅射装置下面进行溅射,形成一层镀膜,溅射装置所用的材料是镍、钯或银。相比现有技术中的热喷涂具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的优点。
进一步地讲,所述的机架上还具有晶板的送料斗5和镀膜后成品的收集斗6。这样,送料和接料都很方便。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置7。这样在传送装置上就可以对产品的质量进行检测,使用更方便。
实施例1
a、将晶板放置经过热喷涂,喷涂材料用镍,形成第一晶板,其利用率达到10%,散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力较差。
实施例2
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:350V、电流密度:30mA/cm、气压:7mTorr、磁场约:200G、功率密度:50W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第二晶板。
其利用率达到45%,散落到周围环境中的镍为55%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
实施例3
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:410V、电流密度:50mA/cm、气压:12mTorr、磁场约:220G、功率密度:60W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第三晶板。
其利用率达到47%,散落到周围环境中的镍为53%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
实施例4
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:380V、电流密度:40mA/cm、气压:8mTorr、磁场约:210G、功率密度:55W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第四晶板。
其利用率达到44%,散落到周围环境中的镍为56%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
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