[发明专利]一种金属纳米线网和二氧化钒的复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610284996.2 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN107338415B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 高彦峰;罗琳琳;张宗涛;陈长;崔晓鹏 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/22 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 纳米 氧化 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)配制金属纳米线涂覆液;
(2)将金属纳米线涂覆液以下述方式与不掺杂的VO2复合,即可制备出金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜:
涂覆于基板形成金属纳米线网,再于所述金属纳米线网上涂覆纳米VO2粉体的涂覆液,得到不掺杂的VO2膜层;所述金属纳米线涂覆液的涂覆层数为3~6,溶剂为异丙醇、酒精、水、环己烷中的至少一种,金属纳米线的浓度为0.01~0.1g/mL ;纳米VO2粉体的粒径为10~200 nm;所述复合薄膜的发射率为0.41~0.21;
金属纳米线网的平均网孔尺寸范围为100~1100 nm,
不掺杂的VO2薄膜的厚度为10nm~300μm,
金属纳米线网的厚度为10~45μm;
所述金属纳米线为银纳米线、铜纳米线、和铝纳米线中的至少一种;
所述金属纳米线的直径范围为10~100nm,长度与直径比为800~5000;
所述金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜实现低发射和智能调光性质的兼顾。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,金属纳米线网通过旋涂法、辊涂法、喷涂法获得。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,VO2膜层通过旋涂法、辊涂法、喷涂法获得。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,纳米VO2粉体的涂覆液中,溶剂为异丙醇、乙醇、水、乙酸乙酯中的至少一种,纳米VO2粉体的固含量为2%~4%。
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