[发明专利]一种金属纳米线网和二氧化钒的复合薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610284996.2 申请日: 2016-05-03
公开(公告)号: CN107338415B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 高彦峰;罗琳琳;张宗涛;陈长;崔晓鹏 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/22
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 纳米 氧化 复合 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)配制金属纳米线涂覆液;

(2)将金属纳米线涂覆液以下述方式与不掺杂的VO2复合,即可制备出金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜:

涂覆于基板形成金属纳米线网,再于所述金属纳米线网上涂覆纳米VO2粉体的涂覆液,得到不掺杂的VO2膜层;所述金属纳米线涂覆液的涂覆层数为3~6,溶剂为异丙醇、酒精、水、环己烷中的至少一种,金属纳米线的浓度为0.01~0.1g/mL ;纳米VO2粉体的粒径为10~200 nm;所述复合薄膜的发射率为0.41~0.21;

金属纳米线网的平均网孔尺寸范围为100~1100 nm,

不掺杂的VO2薄膜的厚度为10nm~300μm,

金属纳米线网的厚度为10~45μm;

所述金属纳米线为银纳米线、铜纳米线、和铝纳米线中的至少一种;

所述金属纳米线的直径范围为10~100nm,长度与直径比为800~5000;

所述金属纳米线网和不掺杂的VO2的复合薄膜实现低发射和智能调光性质的兼顾。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,金属纳米线网通过旋涂法、辊涂法、喷涂法获得。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,VO2膜层通过旋涂法、辊涂法、喷涂法获得。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,纳米VO2粉体的涂覆液中,溶剂为异丙醇、乙醇、水、乙酸乙酯中的至少一种,纳米VO2粉体的固含量为2%~4%。

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