[发明专利]自发光型显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种自发光型显示装置，其特征在于，包括：基板(10)、位于所述基板(10)上的蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、和红光QLED(50)、位于所述蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、和红光QLED(50)上的封装胶材(90)、及位于所述封装胶材(90)上方覆盖所述基板(10)的盖板(100)；

所述基板(10)上具有数个阵列排布的蓝色子像素区域、绿色子像素区域、及红色子像素区域；

所述蓝光OLED(30)包括形成于所述蓝色子像素区域上的第一阳极(31)、形成于所述第一阳极(31)上的蓝光空穴注入层(32)、及形成于所述蓝光空穴注入层(32)上的蓝光空穴传输层(33)；

所述绿光QLED(40)包括形成于所述绿色子像素区域上的第二阳极(41)、形成于所述第二阳极(41)上的绿光空穴注入层(42)、形成于所述绿光空穴注入层(42)上的绿光空穴传输层(43)、及形成于所述绿光空穴传输层(43)上的绿光发光层(44)；

所述红光QLED(50)包括形成于所述红色子像素区域上的第三阳极(51)、形成于所述第三阳极(51)上的红光空穴注入层(52)、形成于所述红光空穴注入层(52)上的红光空穴传输层(53)、及形成于所述红光空穴传输层(53)上的红光发光层(54)；

所述蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、及红光QLED(50)还共同包括形成于所述蓝光空穴传输层(33)、绿光发光层(44)、及红光发光层(54)上的蓝光共同层(34)、形成于所述蓝光共同层(34)上的蓝光发光层(35)、形成于所述蓝光发光层(35)上的电子传输层(60)、形成于所述电子传输层(60)上的电子注入层(70)、及形成于所述电子注入层(70)上的阴极(80)；所述蓝光共同层(34)用于将空穴从蓝光空穴传输层(33)传输到蓝光发光层(35)和将电子传输到绿光发光层(44)和红光发光层(54)；

所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)均为QLED发光层，所述蓝光发光层(35)为OLED发光层；

所述蓝光发光层(35)的膜厚为5nm至50nm；

所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)的膜厚均为1nm至100nm。

2.如权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述基板(10)为薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、及设于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列。

3.如权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述蓝光发光层(35)的材料包含蓝色有机小分子发光材料，所述蓝光发光层(35)采用蒸镀成膜工艺制得。

4.如权利要求1所述的自发光型显示装置，其特征在于，所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)的材料分别包含绿光量子点发光材料和红光量子点发光材料，所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)均采用湿法成膜工艺制得。