[发明专利]一种一碘化铟多晶薄膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于材料技术领域，特别涉及一种一碘化铟多晶薄膜的制备方法。

背景技术

一碘化铟(InI)单晶具有电阻率高、载流子迁移率寿命积较大、制成的γ射线探测器具有较高的能量分辨率和探测效率、并能够在室温下使用和保存等优点,使其成为一种极有前途的室温核辐射探测器材料,是近年来重点研究的室温核辐射探测器的新材料之一。

由于高电阻率、大体积一碘化铟单晶的制备存在较多困难,而小体积一碘化铟单晶不能满足大面积辐射成像器件的制备需求,近年来一碘化铟单晶的研究和应用已经受到了一定程度的限制。与生长块状化合物半导体单晶相比,多晶薄膜材料是一种非常有前途且制备更加方便,工艺也更完善的半导体材料。对于PbI₂、AlSb、HgI₂等拥有类似特性、同为室温核辐射探测材料的薄膜多晶,国内外在其制备以及辐射探测器件应用方面已取得了丰富的研究成果。一碘化铟多晶薄膜可以满足核探测器以及大面积辐射成像器件的需求，且相比于一碘化铟单晶，一碘化铟多晶薄膜发展和利用空间更大。但一碘化铟多晶薄膜的制备，目前国内外还未见有相关报道。

发明内容

本发明的目的在于提供一种厚度和成分均匀性好、沉积速率高、可以大规模生产的一碘化铟多晶薄膜的制备方法。

本发明的一碘化铟多晶薄膜是一种呈紫红色，具有金属光泽，表面光滑的薄膜。

上述一碘化铟多晶薄膜的制备方法包括如下步骤：

(1)将纯度>99.99％的一碘化铟多晶放置在玛瑙研钵中研磨成粉末，放入石墨坩埚内作为蒸发源；

(2)将普通玻璃片用去离子水冲洗后,再用丙酮和乙醇试液分别对其进行超声清洗10min,用高纯氮气烘干处理后，用其作为蒸镀沉淀衬底，悬挂在坩埚上方25cm处；

(3)将步骤(1)的石墨坩埚放入热蒸发真空腔室，采用涡轮分子泵使其腔室的背底真空度达到1.5×10^-3Pa以下；

(4)在薄膜生长过程中，由膜厚仪监测加热速率和蒸镀厚度，以20℃/min的速率缓慢加热蒸发源至50～90℃，控制薄膜沉积速率在0.5～2.0沉积得到200～900nm的一碘化铟多晶薄膜。

(5)将步骤(4)的一碘化铟多晶薄膜冷却至室温，完成薄膜的制备。

本发明与现有技术相比具有如下优点：

1、使用真空蒸发法制备的一碘化铟多晶薄膜具有厚度和成分均匀性好、沉积速率高、适合大面积生长、可以大规模生产；

2、与衬底附着效果好；薄膜纯度高，化学配比好；结构致密度高，是一种使用十分广泛的多晶薄膜制备方法。

附图说明

图1是本发明实施例3制备的一碘化铟多晶薄膜的样品图；

图2是本发明实施例3制备的一碘化铟多晶薄膜的XRD图；

图3是本发明实施例3制备的一碘化铟多晶薄膜的表面SEM图；

图4是本发明实施例3制备的一碘化铟多晶薄膜的紫外-可见透过谱和吸收系数图。

具体实施方式

实施例1

将纯度>99.99％的一碘化铟多晶放置在玛瑙研钵中研磨，称取5g一碘化铟多晶粉末放入石墨坩埚内作为蒸发源；将厚度为1mm的普通玻璃片用去离子水对其冲洗,再用丙酮和乙醇试液分别对其进行超声清洗10min,高纯氮气烘干处理后，迅速放入热蒸发高真空腔室中，悬挂在坩埚上方25cm处；将石墨坩埚放入热蒸发真空腔室，通过涡轮分子泵实现腔室的背底真空度达到1.0×10^-3Pa；在蒸发过程中，升温过快会导致蒸发源材料和坩埚中吸附的杂质不能充分脱附，对沉积的薄膜样品造成污染，为使蒸发源材料和坩埚上吸附的杂质完全脱附，因此应由旁镜观察加在坩埚上电流的加热情况，在薄膜生长过程中，由膜厚仪监测加热速率和蒸镀厚度，以20℃/min的速率缓慢加热蒸发源至60℃，并保持薄膜沉积速率0.6得到沉积厚度为300nm的一碘化铟多晶薄膜，将制得的一碘化铟多晶薄膜冷却至室温。

实施例2