[发明专利]VDMOS器件的制作方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种VDMOS器件的制作方法。

背景技术

垂直双扩散金属氧化物半导体器件(vertical double-diffused Metal Oxide Semiconductor，简称VDMOS)由于具有高输入阻抗、低驱动功率、以及优越的频率特性和热稳定性等特点，广泛地被应用于开关电源，汽车电子，马达驱动，高频振荡器等多个领域。

在制作VDMOS器件的过程中，涉及到源区的制作工艺，现有技术中一般采用的源区制作工艺是：通过光刻胶的光刻工艺定义源区位置，进而进行源区离子的注入和驱入，以形成源区。由于VDMOS器件的制作过程中，诸如有源区、体区等制作过程中大多也涉及到光刻工艺，过多的光刻工艺不但影响器件的制作效率，还提高了器件的制作成本。

发明内容

本发明实施例提供一种VDMOS器件的制作方法，以提高器件的制作效率，降低器件的制作成本。

本发明实施例提供一种VDMOS器件的制作方法，包括：

在基底上形成初始氧化层，所述基底包括自下而上依次形成的衬底和外延层；

对所述初始氧化层进行光刻、刻蚀，生成由相距预设间距、具有预设宽度的多块初始氧化层定义的有源区窗口，所述预设间距和所述预设宽度小于预设倍数的体区横向宽度；

进行有源区离子注入，形成所述器件的有源区；

在所述器件表面依次生长栅氧层和多晶硅层；

对所述多晶硅层进行光刻、刻蚀；

以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，依次制作所述器件的体区和源区。

具体地，所述预设倍数为2倍。

具体地，所述以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，依次制作所述器件的体区和源区，包括：

以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，进行体区离子的自对准注入和驱入，以形成连续的体区。

具体地，所述以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，依次制作所述器件的体区和源区，包括：

以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，进行源区离子的自对准注入和驱入，以形成位于所述体区中的源区。

进一步地，所述进行有源区离子注入，形成所述器件的有源区之后，还包括：

制作所述器件的环区。

进一步地，所述以所述多晶硅层和所述初始氧化层为阻挡层，依次制作所述器件的体区和源区之后，所述方法还包括：

进行阱区离子注入，在所述体区中形成阱区。

进一步地，所述在所述体区中形成阱区之后，所述方法还包括：

在所述器件表面依次生成介质层、接触孔和金属层。

本发明实施例提供的VDMOS器件的制作方法，在基底上形成初始氧化层后，对初始氧化层进行光刻、刻蚀，以生成由相距预设间距、具有预设宽度的多块初始氧化层定义的有源区窗口，形成器件的有源区，其中，预设间距和预设宽度小于预设倍数的体区横向宽度，进而在器件表面依次生长栅氧层和多晶硅层，对多晶硅层进行光刻、刻蚀，之后以保留的多晶硅层和具有一定形状的初始氧化层为阻挡层，依次制作器件的体区和源区。通过更改有源区的光刻图形，在有源区内保留一定形状的初始氧化层，以采用该初始氧化层作为源区的阻挡层，无需采用光刻的工艺定义源区位置，节省了光刻工艺，提高了器件制作效率，节省了成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明VDMOS器件的制作方法实施例一的流程图；

图2为执行步骤101后的VDMOS器件的剖面示意图；

图3为执行步骤102后的VDMOS器件的剖面示意图；

图4为执行步骤102后的VDMOS器件的俯视示意图；

图5为执行步骤104后的VDMOS器件的剖面示意图；

图6为执行步骤105后的VDMOS器件的剖面示意图；

图7为执行步骤106后的VDMOS器件的剖面示意图；

图8为执行步骤107后的VDMOS器件的剖面示意图；

图9为本发明VDMOS器件的制作方法实施例二的流程图。

具体实施方式