[发明专利]一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，包括从下向上依次设置的低铁压花钢化玻璃(6)、第一封装胶膜(7)、全部电池片(2)、第二封装胶膜(8)和背板(9)，所述的电池片(2)周围设置一圈导电保护环(1)，其中，所述全部电池片为若干电池片互相串联而成；在光伏电站中，一个子串由多个组件正负极串联而成，将各组件的导电保护环互相连接，再和子串的输出正极相连。

2.根据权利要求1所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述电池片是单晶硅电池片或多晶硅电池片。

3.根据权利要求1所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述全部电池片(2)中的电池片的数目为54、60或72。

4.根据权利要求1所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述导电保护环(1)采用导电金属条制备。

5.根据权利要求4所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述导电金属条的材质为镀锡的扁平铜带、铝、合金铝或不锈钢。

6.根据权利要求1所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，所述导电保护环(1)采用导电胶条制备。

7.一种抗PID的晶体硅太阳电池组件的制备方法，其特征在于，先将封装晶体硅太阳电池组件用的低铁压花钢化玻璃(6)放在叠层台上；在低铁压花钢化玻璃(6)上放第一张封装胶膜(7)；将串接好的电池串放置在第一封装胶膜(7)上，并进行汇流；接着在电池串的四周设置导电保护环(1)，导电保护环(1)设置在第一张封装胶膜(7)上面，并且导电保护环(1)与电池串的四周及低铁压花钢化玻璃(6)的四周保持距离，再于电池串上放置第二张封装胶膜(8)，在第二张封装胶膜(8)上放置背板(9)，然后将导电保护环(1)和组件的正负极引出，最后进行层压密封；在光伏电站中，一个子串由多个组件正负极串联而成，将各组件的导电保护环互相连接，再和子串的输出正极相连。

8.根据权利要求7所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件的制备方法，其特征在于，导电保护环(1)的边缘到低铁压花钢化玻璃(6)的边缘的距离为1～1.5厘米。

9.根据权利要求7所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件的制备方法，其特征在于，层压密封具体为：将铺设好的组件放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，同时加热使封装胶膜熔化并将电池片、低铁压花钢化玻璃和背板粘接在一起，完成层压密封。

10.根据权利要求7所述的一种抗PID的晶体硅太阳电池组件的制备方法，其特征在于，层压密封完成后，装框，安装接线盒，构成抗PID的晶体硅太阳电池组件。