[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201610290291.1 申请日: 2016-05-04
公开(公告)号: CN105739157A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 席克瑞;朱娟;杜雷;周一安 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;马晓亚
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:设置于基板上的多个凸起结构,覆盖于所述凸起结构上的反射层,以及覆盖于所述反射层上的透明电极层,其中,所述凸起结构包括栅极层、非晶硅层、源漏极层、绝缘层和钝化层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起结构中的栅极层、绝缘层、非晶硅层、源漏极层和钝化层沿第一方向依次设置,其中,所述第一方向与所述基板的上表面垂直,所述栅极层包括多个栅极层图案,所述栅极层图案的形状为第一凸台,所述第一凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行;

所述绝缘层至少完全覆盖各所述第一凸台的顶面和侧面,所述非晶硅层完全覆盖于所述栅极层上的绝缘层的顶面和外侧面,所述源漏极层完全覆盖于所述非晶硅层的顶面和外侧面,所述钝化层至少完全覆盖于所述源漏极层的顶面和外侧面。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起结构中的栅极层、绝缘层、非晶硅层、源漏极层和钝化层沿所述第一方向依次设置,其中,所述第一方向与所述基板的上表面垂直,所述栅极层包括多个栅极层图案,所述栅极层图案的形状为第一凸台,所述第一凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行;

所述绝缘层至少完全覆盖各所述第一凸台的顶面和侧面,所述非晶硅层至少部分覆盖所述栅极层上的绝缘层的顶面,其中,所述非晶硅层包括多个形状为第二凸台的非晶硅,所述第二凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行;

所述源漏极层至少部分覆盖各所述非晶硅的顶面,其中,所述源漏极层包括多个形状为第三凸台的源漏极,所述第三凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行;

所述钝化层至少完全覆盖所述源漏极层的顶面和侧面、所述非晶硅的侧面、所述绝缘层的侧面。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,任意一所述凸起结构中的源漏极层与该凸起结构中的非晶硅层在第二方向上的长度差为a,所述非晶硅层与该凸起结构中的栅极层在所述第二方向上的长度差为b,所述栅极层与该凸起结构中的绝缘层在所述第二方向上的长度差为c,其中,a≥0,b≥0,c≥1×10-6米,所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上,所述透明电极层上的任意二点在第一方向上的高度差的最大值S满足:1×10-6米≤S≤1.3×10-6米。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,至少两个所述凸起结构中的第一凸台相连接。

7.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6之一所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

在基板上形成栅极层,其中,所述栅极层包括多个栅极层图案,所述栅极层图案的形状为第一凸台;

在所述栅极层上形成覆盖所述栅极层的绝缘层;

在位于所述栅极层上的绝缘层上形成非晶硅层;

在所述非晶硅层上形成源漏极层;

在所述源漏极层上或者所述源漏极层、非晶硅层和绝缘层上覆盖一钝化层,以形成凸起结构;

形成覆盖所述基板和位于所述基板上的各所述凸起结构上的反射层,以及形成覆盖于所述反射层上的透明电极层。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行;

所述绝缘层至少覆盖各所述第一凸台的顶面和侧面。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述绝缘层至少部分地覆盖所述基板。

11.根据权利要求10所述的方法其特征在于,所述非晶硅层完全覆盖所述栅极层上的绝缘层的顶面和外侧面;或者

所述非晶硅层至少部分覆盖所述栅极层上的绝缘层的顶面,其中,所述非晶硅层包括多个形状为第二凸台的非晶硅,所述第二凸台包括顶面、底面和侧面,其中,所述底面和所述顶面相互平行。

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