[发明专利]沟槽型肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口，所述半导体硅基底包括由下而上依次设置的N型衬底和N型外延层；

通过所述刻蚀窗口，对所述N型外延层进行刻蚀，以形成硅沟槽；

去除所述氮化硅层，并在整个器件的表面上形成预设厚度的栅极氧化层；

在整个器件的表面上沉积第一多晶硅层，对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以在所述硅沟槽中形成第二多晶硅层；

在整个器件的表面上依次形成介质层和金属层，以形成沟槽型肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述氮化硅层，并在整个器件的表面上形成预设厚度的栅极氧化层，包括：

采用湿法工艺，去除所述氮化硅层；

在所述氧化硅层、所述沟槽的表面上生长预设厚度的栅极氧化层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为2500埃～5000埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在整个器件的表面上沉积第一多晶硅层，对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以在所述硅沟槽中形成第二多晶硅层，包括：

在整个器件的表面上，沉积第一多晶硅层；

对所述第一多晶硅层进行刻蚀，去除所述N外延层上方的栅极氧化层表面上的第一多晶硅层，并去除以及所述N外延层上方的栅极氧化层之间的第一多晶硅层，以在所述硅沟槽中形成第二多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度等于所述硅沟槽的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在整个器件的表面上依次形成介质层和金属层，以形成沟槽型肖特基二极管，包括：

在整个器件的表面上形成介质层，所述介质层为二氧化硅；

去除相邻的硅沟槽之间的N外延层上方的栅极氧化层、和介质层；

在整个器件的表面上沉积金属层，以形成沟槽型肖特基二极管。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在整个器件的表面上沉积金属层，包括：

在整个器件的表面上依次沉积第一金属分层、第二金属分层；

其中所述第一金属分层为钛金属、或金金属、或钼金属，所述第一金属分层的厚度为500埃～1500埃；所述第二金属分层为铝金属，所述第二金属分层的厚度为2微米～5微米。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，在所述对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀之前，还包括：

在所述半导体硅基底的N型外延层的上表面上，形成所述氧化硅层，其中，所述氧化硅层的厚度为100埃～200埃；

采用低压力化学气相沉积法，在所述氧化硅层的表面上形成所述氮化硅层，其中，所述氮化硅层的厚度为500埃～1000埃。

9.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口，包括：

在整个器件的表面设置光刻胶层；

对所述光刻胶层、所述氮化硅层、所述氧化硅层进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口；

去除所述光刻胶层。