[发明专利]一种磁控溅射用的靶背板及磁控溅射装置有效

专利信息
申请号: 201610290495.5 申请日: 2016-05-04
公开(公告)号: CN105734516B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 邢宏伟;穆慧慧;吴斌;李冬青;石旭;王小军;吴祥一 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 背板 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及磁控溅射技术领域,尤其涉及一种磁控溅射用的靶背板及磁控溅射装置。

背景技术

在已有的磁控溅射装置中,如图1所示,所用的靶材1通常由靶背板2支撑,特别是尺寸较大的平面靶材;靶背板2内部设置有冷却液通道,利用流过所述冷却液通道的冷却液对靶材1进行冷却,以免因靶材1温度过高而影响磁控溅射的正常进行。磁控溅射时所用的磁场由安装在靶背板2背面的磁体3提供,该磁场的磁场强度分布与安装在靶背板2背面的磁体3的排布方式有关,例如磁体3的排布方式选用如图4所示的磁体排布方式时,磁体3所产生磁场的磁力线密度从靶材1的左右两端至靶材1的中部逐渐减小,即磁场强度从靶材1的两端至靶材1的中部逐渐减小,将导致磁控溅射时对靶材1两端的刻蚀速率较快、中部较慢,而为本领域技术人员所熟知的是,当靶材1即将被击穿时就需要更换新的靶材1了。因此,当靶材1安装在可形成上述磁场的靶背板2上进行磁控溅射时,在靶材1两端即将被击穿时靶材1的中部仍有较大余量,导致靶材1的利用率降低。

为解决上述靶材利用率低的问题,虽然现有技术中通过将靶材1两端加厚的方式来提高靶材1的利用率,但由于对靶材1两端的刻蚀速率较快,相应的形成在待镀膜基片上两端的成膜膜厚也就较厚,如此将导致待镀膜基片的成膜膜厚不均匀。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁控溅射用的靶背板及磁控溅射装置,用于提高靶材的利用率的同时,提高形成在待镀膜基片上的成膜膜厚的均匀性。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

本发明的第一方面提供了一种磁控溅射用的靶背板,靶背板内设置有冷却液通道,靶背板的背面设置有多个磁体,靶背板的冷却液通道内设置有导磁片,导磁片与多个磁体所产生的磁场的磁场强度最强区对应。

具有如上结构的磁控溅射用的靶背板能够达到如下有益效果:

在靶背板原有结构的基础上,由于靶背板的冷却液通道原为中空结构,在靶背板的冷却液通道内增加设置导磁片,并将导磁片设置于多个磁体所产生的磁场的磁场强度最强区,相当于增加磁场强度最强区靶背板内的导磁实体的厚度,而导磁片能吸收磁场能量降低磁场强度,因此,通过加设导磁片能够降低经过此磁场强度最强区的磁场强度,使经过靶背板不同区域后的磁场强度趋于一致,从而在磁控溅射时使对靶材的刻蚀速率趋于一致,继而能够延长整个靶材的使用寿命,提高靶材的利用率;同时,由于磁控溅射时对靶材的刻蚀速率趋于一致,相应的形成在待镀膜基片上的成膜膜厚也就均匀,提高了形成在待镀膜基片上的成膜膜厚的均匀性。

基于上述磁控溅射用的靶背板的技术方案,本发明的第二方面提供了一种磁控溅射装置,包括真空镀膜腔室,以及设于真空镀膜腔室内的上述靶背板。

本发明提供的磁控溅射装置与上述靶背板所能达到的有益效果相同,故在此不再详述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1为现有技术提供的靶背板的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的靶背板的结构示意图;

图3为本发明实施例提供的冷却液通道的示意图;

图4为本发明实施例提供的磁体排布方式的示意图;

图5为本发明实施例提供的靶背板的俯视示意图;

图6为本发明实施例提供的导磁片的结构示意图。

附图标记:

1-靶材, 2-靶背板,

3-磁体, 4-导磁体,

5-凸起, 6-凹槽。

具体实施方式

为便于理解,下面结合说明书附图,对本发明实施例提供的靶背板和磁控溅射装置进行详细描述。

请参阅图2,在本发明提供的实施例中,靶背板2内设置有冷却液通道,靶背板2的背面设置有多个磁体3,且靶背板2的冷却液通道内还设置有导磁片4,导磁片4与多个磁体3所产生的磁场的磁场强度最强区对应。

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