[发明专利]调制效率与偏振无关的低频电光相位调制器有效
| 申请号： | 201610291937.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105739133B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 华勇;张洪波;胡红坤;王立民 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制 效率 偏振 无关 低频 电光 相位 调制器 | ||
1.一种调制效率与偏振无关的低频电光相位调制器，包括由铌酸锂基底、调制电极和条形波导所组成的钛扩散铌酸锂波导芯片，所述调制电极由一根正电极和一根负电极组成，其特征在于：所述电光相位调制器由两块钛扩散铌酸锂波导芯片拼接而成，其中一块钛扩散铌酸锂波导芯片采用X切Y传模式，此钛扩散铌酸锂波导芯片记为第一钛扩散铌酸锂波导芯片，另一块钛扩散铌酸锂波导芯片采用Z切Y传模式，此钛扩散铌酸锂波导芯片记为第二钛扩散铌酸锂波导芯片；调制电极发出的电场记为调制电场，调制电场与条形波导重叠的区域形成调制区；
当第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区范围内的调制电场方向与第一铌酸锂基底的Z轴方向相反时，第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区范围内的调制电场方向也与第二铌酸锂基底的Z轴方向相反，或者，当第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区范围内的调制电场方向与第一铌酸锂基底的Z轴方向同向时，第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区范围内的调制电场方向也与第二铌酸锂基底的Z轴方向同向；
另外，两块钛扩散铌酸锂波导芯片还满足如下条件：
其中，LX为第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区的长度，LZ为第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区的长度，EZX为第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区的电场强度，EZZ为第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的调制区的电场强度。
2.根据权利要求1所述的一种调制效率与偏振无关的低频电光相位调制器，其特征在于：第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的正电极和第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的正电极通过金属跳线串接；第一钛扩散铌酸锂波导芯片上的负电极和第二钛扩散铌酸锂波导芯片上的负电极通过金属跳线串接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610291937.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
