[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底以及位于衬底表面的分立的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述鳍部的顶部和侧壁表面形成第一氧化层；

去除所述第一区域的第一氧化层，暴露出第一区域的鳍部表面；

在所述第一区域的鳍部表面形成第二氧化层，所述第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；

在所述第一氧化层表面以及第二氧化层表面形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡表面形成隔离层，所述隔离层填充满相邻鳍部之间的区域，其中，所述刻蚀阻挡层的材料与所述隔离层的材料不同；

回刻蚀去除部分厚度的隔离层形成隔离结构，所述隔离结构顶部低于鳍部顶部；

去除高于所述隔离结构顶部的刻蚀阻挡层，暴露出高于隔离结构顶部的第二氧化层表面以及第一氧化层表面；

在所述暴露出的第二氧化层表面形成第一栅极，所述第一栅极横跨第一区域的鳍部；

在所述暴露出的第一氧化层表面形成第二栅极，所述第二栅极横跨第二区域的鳍部。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为20埃至50埃；所述第二氧化层的厚度为8埃至20埃。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为非晶硅、非晶碳或氮化硅。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为1纳米至20纳米。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述高于隔离结构顶部的刻蚀阻挡层。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为非晶硅；所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为四甲基氢氧化铵溶液或氨水溶液。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用氧化工艺形成所述第一氧化层；采用氧化工艺形成所述第二氧化层。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一氧化层之前，还包括步骤，对所述鳍部进行拐角圆滑化处理，在所述鳍部上形成衬垫修复层；接着，去除所述衬垫修复层。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬垫修复层的材料为氧化硅；所述拐角圆滑化处理采用的工艺为氧化处理。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺包括：采用流动性化学气相沉积工艺形成前驱隔离膜；对所述前驱隔离膜进行退火固化处理，将前驱隔离膜转化为隔离层；对所述隔离层顶部表面进行平坦化处理。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀去除部分厚度的隔离层的工艺为，干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺中的一种或两种。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述去除第一区域的第一氧化层的工艺步骤包括：在所述第二区域的第一氧化层表面形成图形层；以所述图形层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第一氧化层；去除所述图形层。

14.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极包括第一高k栅介质层以及位于第一高k栅介质层表面的第一金属栅极；所述第二栅极包括第二高k栅介质层以及位于第二高k栅介质层表面的第二金属栅极。