[发明专利]一种单芯片双向IGBT单管的封装结构

权利要求书

1.一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其特征在于：包括底 部金属板和顶部金属板，单芯片双向IGBT器件设置在所述底部金属板 和所述顶部金属板之间，所述顶部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT 器件的第一发射极，所述底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件 的第二发射极，所述顶部金属板与第一门极保持适当绝缘间距，所述 底部金属板与第二门极保持适当绝缘间距。

2.根据权利要求1所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其 特征在于：还包括绝缘外壳，单芯片双向IGBT器件在所述绝缘外壳与 所述底部金属板、顶部金属板围合的空间内，所述底部金属板的下表 面和所述顶部金属板的上表面外露。

3.根据权利要求2所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其 特征在于：单芯片双向IGBT器件的第一门极、第二门极、顶部金属板、 和底部金属板分别与对应的外部引脚连接，所述对应的外部引脚延伸 至所述绝缘外壳与所述底部金属板、顶部金属板围合的空间外。

4.根据权利要求3所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其 特征在于：单芯片双向IGBT器件的第一门极通过金属键合线与其所对 应的外部引脚连接，单芯片双向IGBT器件的第二门极通过金属键合线 与其所对应的外部引脚连接。

5.根据权利要求4所述的单芯片双向IGBT单管的封装结构，其 特征在于：所述顶部金属板与其所对应的外部引脚焊接，所述底部金 属板与其所对应的外部引脚焊接。

6.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结 构，其特征在于：还包括绝缘衬垫，所述绝缘衬垫设置在所述底部金 属板和所述顶部金属板之间，所述绝缘衬垫、底部金属板、顶部金属 板在对应位置均设有安装通孔。

7.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结 构，其特征在于：所述顶部金属板与第一门极对应位置设有开口，所 述底部金属板与第二门极对应位置设有开口。

8.根据权利要求1-5任一所述的单芯片双向IGBT单管的封装结 构，其特征在于：所述底部金属板和所述顶部金属板具有不规则的形 状。