[发明专利]硅基背板LED显示器的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610293397.7 申请日: 2016-05-05
公开(公告)号: CN107346803A 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 王晓川 申请(专利权)人: 上海珏芯光电科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L21/68
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 李时云
地址: 201204 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 背板 led 显示器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,包括步骤:

提供硅基背板,包含硅基背板上表面和与之相对的硅基背板下表面;

在硅基背板上形成基板光学对位标志;

提供第一掩膜板,包含第一掩膜板上表面和相对的第一掩膜板下表面;

在所述第一掩膜板上形成第一掩膜板光学对位标志,以及多个第一通孔组成第一通孔阵列;

将所述第一掩膜板平行置于所述硅基背板之上,形成所述第一掩膜板光学对位标志与所述基板光学对位标志的垂直光学对位;

基于所述第一掩膜板光学对位标志与所述基板光学对位标志的垂直光学对位,形成第一掩膜板与硅基背板的临时键合,其中所述第一掩膜板下表面和所述硅基背板上表面相对;

从第一掩膜板上表面上方通过所述第一通孔将第一LED发射层沉积于硅基背板上表面所暴露的多个第一子像素区域所构成的第一子像素区域阵列内;

解除第一掩膜板与硅基背板的临时键合,并移开第一掩膜板;

在硅基背板上表面形成透明的密封封盖。

2.根据权利要求1所述的硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,在提供硅基背板步骤之后、形成所述第一掩膜板光学对位标志与所述基板光学对位标志的垂直光学对位步骤之前,包括步骤:

在所述硅基背板上表面的每个第一子像素区域内形成一个第一下电极,所述第一子像素区域阵列内的多个第一下电极构成一个第一下电极阵列。

3.根据权利要求2所述的硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,在提供硅基背板的步骤之后、将第一掩膜板平行置于硅基背板之上的步骤之前,进一步包括:

在所述硅基背板上形成有源矩阵驱动电路,所述源矩阵驱动电路包含与每个第一下电极形成电学连接的第一像素子电路以及外围驱动电路;

形成有源矩阵驱动电路的输入输出管腿。

4.根据权利要求2所述的硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,

在形成第一下电极阵列之后,在硅基背板上形成透明的密封封盖之前,包括 步骤:

在所述硅基背板上表面的每个第二子像素区域内形成一个第二下电极,所述第二子像素区域阵列内的多个第二下电极构成一个第二下电极阵列;

在解除第一掩膜板下表面与硅基背板上表面的临时键合并移开第一掩膜板步骤之后、在硅基背板上形成透明的密封封盖之前,包括步骤:

提供第二掩膜板,包含第二掩膜板上表面和相对的第二掩膜板下表面;

在第二掩膜板上形成第二掩膜板光学对位标志,以及多个第二通孔组成的第二通孔阵列;

将第二掩膜板平行置于硅基背板之上,形成所述第二掩膜板光学对位标志与所述基板光学对位标志的垂直光学对位;

基于所述第二掩膜板光学对位标志与所述基板光学对位标志的垂直光学对位,形成第二掩膜板与硅基背板的临时键合,其中第二掩膜板下表面与硅基背板上表面相对;

从第二掩膜板上表面上方通过所述第二通孔将第二LED发射层沉积于硅基背板上表面所暴露的多个第二子像素区域所构成第二子像素区域阵列内;

解除第二掩膜板与硅基背板的临时键合,并移开第二掩膜板。

5.根据权利要求4所述的硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,在提供硅基背板的步骤之后、将第一掩膜板平行置于硅基背板之上的步骤之前,进一步包括:

在所述硅基背板上形成有源矩阵驱动电路,所述源矩阵驱动电路包含分别与每个第一下电极和第二下电极形成电学连接的第一像素子电路和第二像素子电路以及外围驱动电路;

形成有源矩阵驱动电路的输入输出管腿。

6.根据权利要求4所述的硅基背板LED显示器的制造方法,其特征在于,在移开第二掩膜板步骤之后、形成透明的密封封盖步骤之前,进一步包括:

在硅基背板上表面上,形成与所述第一LED发射层和所述第二LED发射层物理接触的共享上电极薄膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海珏芯光电科技有限公司,未经上海珏芯光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610293397.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top