[发明专利]基于内向S型导线的多层结构像元及图像传感器有效
申请号: | 201610294315.0 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN105720068B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 赵照 | 申请(专利权)人: | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 内向 导线 多层 结构 图像传感器 | ||
1.基于内向S型导线的多层结构像元,包括用于读出电路的衬底(1)、与读出电路电连接的微桥(2),微桥(2)能够将电磁波辐射信号转换成电信号,微桥(2)包括用于支撑微桥的第一层桥墩(201)、设置在第一层桥墩上的桥面(202),其特征在于:所述微桥(2)还包括第二层桥墩(204),所述第一层桥墩(201)和第二层桥墩(204)之间采用“S”型布线(203);所述桥面(202)表面有一感光层(4),用以吸收电磁波,感光层(4)上表面包括一层绝缘层,感光层表面上设有若干中空立体结构(5)。
2.如权利要求1所述的基于内向S型导线的多层结构像元,其特征在于:所述中空立体结构为中空规则形状或不规则形状的立体结构。
3.如权利要求1所述的基于内向S型导线的多层结构像元,其特征在于:所述中空立体结构(5)的表面填涂有采用纳米印刷工艺涂覆的石墨烯。
4.一种多层结构像元阵列,其特征在于:采用多个如权利要求1-3任一项所述的基于内向S型导线的多层结构像元重复错位排列组成。
5.一种基于错位增像的图像传感器,其特征在于:包括如权利要求4所述的多层结构像元阵列,用于采集图像信号;ASIC电路,用于多层结构像元阵列采集图像信号,并将采集到的信号进行读取、处理、分析、输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的