[发明专利]互补金属氧化物半导体影像感测器及形成方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体影像感测器，包含：

基底；

第一型的晶体层，形成于该基底上；

光二极管，形成于该晶体层内；

至少一个第一型的掺杂阱区，形成于该晶体层内；

传输栅，形成于该晶体层的顶面，该传输栅部分覆盖该光二极管的边缘及该掺杂阱区的边缘；

浮动扩散节点，位于该掺杂阱区内；及

第二型的注入区，形成于该晶体层内，该注入区的部分结合该光二极管、该掺杂阱区及该浮动扩散节点，且该注入区被该传输栅的通道整个覆盖，

其中该注入区的一部分具楔形，其宽度随远离该光二极管而逐渐改变。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，还包含一传输栅通道注入，形成于该晶体层的顶部。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，其中该浮动扩散节点被该传输栅部分覆盖。

4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，包含前照式互补金属氧化物半导体影像感测器或后照式互补金属氧化物半导体影像感测器。

5.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，其中该注入区距离该晶体层的顶面一段距离。

6.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，其中该注入区未碰触该传输栅通道注入，但是在该注入区结合该浮动扩散节点处，该注入区碰触到该传输栅通道注入。

7.一种形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，包含：

提供一基底；

形成一第一型的晶体层于该基底上；

形成一第二型的注入区于该晶体层内；

形成至少一个第一型的掺杂阱区于该晶体层内，该注入区的部分结合该掺杂阱区；

形成一传输栅于该晶体层的顶面，该传输栅部分覆盖该掺杂阱区的边缘，该注入区被该传输栅的通道整个覆盖；

形成一光二极管于该晶体层内，该注入区的部分结合该光二极管；及

执行源极/漏极注入以形成一浮动扩散节点于该掺杂阱区内，该注入区的部分结合该浮动扩散节点，

其中该注入区的一部分具楔形，其宽度随远离该光二极管而逐渐改变。

8.根据权利要求7所述形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，还包含一步骤以形成一传输栅通道注入于该晶体层的顶部。

9.根据权利要求7所述形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，其中该浮动扩散节点被该传输栅部分覆盖。

10.根据权利要求7所述形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，其中该互补金属氧化物半导体影像感测器包含前照式互补金属氧化物半导体影像感测器或后照式互补金属氧化物半导体影像感测器。

11.根据权利要求7所述形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，其中该注入区距离该晶体层的顶面一段距离。

12.根据权利要求8所述形成互补金属氧化物半导体影像感测器的方法，其中该注入区未碰触该传输栅通道注入，但是在该注入区结合该浮动扩散节点处，该注入区碰触到该传输栅通道注入。