[发明专利]混频器

权利要求书

1.一种混频器，其特征在于，包括第一混频电路和第二混频电路，输入所述第一混频电路的本振信号与输入所述第二混频电路的本振信号为正交信号，所述第一混频电路和/或所述第二混频电路包括：

换向开关电路，包括第一电流换向开关对与第二电流换向开关对，所述第一电流换向开关对包括第一晶体管与第三晶体管，所述第二电流换向开关对包括第二晶体管与第四晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管与所述第四晶体管为相同的晶体管，所述换向开关电路用于将输入所述混频器的射频信号转变为中频信号；

电压校正电路，与所述第一电流换向开关对的一个晶体管或所述第二电流换向开关对的一个晶体管电连接，所述电压校正电路用于调整与所述电压校正电路电连接的晶体管的栅极和/或衬底电压；以及

负载电路，与所述换向开关电路的输出端电连接。

2.根据权利要求1所述的混频器，其特征在于，所述电压校正电路包括栅极电压校正电路，所述栅极电压校正电路与所述第一电流换向开关对的一个晶体管的栅极或所述第二电流换向开关对的一个晶体管的栅极电连接，所述栅极电压校正电路用于调整与所述栅极电压校正电路电连接的晶体管的栅极电压。

3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于，所述电压校正电路包括：

衬底电压校正电路，与第一衬压晶体管的衬底或第二衬压晶体管的衬底电连接，所述第一衬压晶体管为所述第一电流换向开关对的一个晶体管，所述第二衬压晶体管为所述第二电流换向开关对的一个晶体管，所述衬底电压校正电路用于调整所述第一衬压晶体管或所述第二衬压晶体管的衬底电压。

4.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述第一衬压晶体管与所述第二衬压晶体管采用深N阱或双阱工艺形成。

5.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述栅极电压校正电路通过第一选通开关与所述第一电流换向开关对的一个晶体管的栅极或所述第二电流换向开关对的一个晶体管的栅极电连接；所述衬底电压校正电路通过第二选通开关与所述第一衬压晶体管的衬底或所述第二衬压晶体管电连接。

6.根据权利要求5所述的混频器，其特征在于，所述第一选通开关由控制字CALG<3>控制，所述第二选通开关由控制字CALB<3>控制。

7.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述栅极电压校正电路和/或所述衬底电压校正电路包括：

电阻单元，包括依次串联的九个电阻器，分别为第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器与第九电阻器，各个电阻器包括第一端与第二端，其中，所述第一电阻器的第一端与电源电连接，所述第九电阻器的第二端接地；

开关单元，包括八个开关晶体管，分别为第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、第七开关晶体管与第八开关晶体管；所述第一开关晶体管的源极与所述第一电阻器的第二端电连接，所述第二开关晶体管的源极与所述第二电阻器的第二端电连接，所述第三开关晶体管的源极与所述第三电阻器的第二端电连接，所述第四开关晶体管的源极与所述第四电阻器的第二端电连接，所述第五开关晶体管的源极与所述第五电阻器的第二端电连接，所述第六开关晶体管的源极与所述第六电阻器的第二端电连接，所述第七开关晶体管的源极与所述第七电阻器的第二端电连接，所述第八开关晶体管的源极与所述第八电阻器的第二端电连接，八个所述开关晶体管的漏极电连接形成校正输出端；以及

三八译码器，输出端与八个所述开关晶体管的栅极电连接，所述三八译码器用于控制八个开关晶体管的打开与闭合。

8.根据权利要求7所述的混频器，其特征在于，所述三八译码器的输入端与控制字CAL<2:0>电连接。