[发明专利]一种压力传感器温度补偿方法在审
申请号: | 201610297004.X | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN105784215A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 徐阳辉;邱晃;余志勇 | 申请(专利权)人: | 武汉航空仪表有限责任公司 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;G01L9/06 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 张毓灵 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压力传感器 温度 补偿 方法 | ||
1.一种压力传感器温度补偿方法,其特征在于,基于一包含有惠斯 登四臂压力敏感电桥的压力传感器温度补偿电路,在惠斯登四臂压力敏 感电桥工作温度范围内,选取若干温度点,在各温度点下标定压力敏感 电桥的电桥内阻,利用标定数据计算压力敏感电桥内阻的温度系数和电 桥内阻初始值,利用该温度系数及电桥内阻初始值结合二极管正向导通 压降的温度变化率确定补偿二极管的数量,从而抵消温度对惠斯登四臂 压力敏感电桥的影响,实现温度补偿的目的。
2.根据权利要求1所述的压力传感器温度补偿方法,其特征在于, 所述压力传感器温度补偿电路包含有惠斯登四臂压力敏感电桥(1)和串 联二极管组(2),其中,惠斯登四臂压力敏感电桥(1),具有5个节点, 其中节点d、e为负电源端,节点b为正电源端,节点a为正输出端,节 点c为负输出端;节点a与输出正OUT+连接,节点c与输出负OUT-连接; 串联二极管组(2)中包含一个或一个以上的半导体二极管,所有半导体 二极管依次正向串联构成串联二极管组(2);串联二极管组(2)中第1 个二极管D1正极端与电源正Ui+相连接,最后一个二极管DN负极端与 压阻式压力敏感电桥(1)节点b连接;
在压力传感器补偿温度范围内,选取i个温度测试点Ti,在每个温 度点Ti下标定压力敏感电桥的电桥内阻RTi,标定方法如下:
惠斯登四臂压力敏感电桥节点d、e短接形成封闭电桥,测定节点b 与节点d之间的电阻值为压力敏感电桥的内阻RTi,在整个温度测量范围 内,分别在温度测试点T1、T2、…Tm-1、Tm条件下,测量压力敏感电 桥对应的内阻值分为RT1、RT2、…RTm-1、RTm,其中,i=1、2、…m。
3.根据权利要求2所述的压力传感器温度补偿方法,其特征在于, 利用最小二乘法或端基法等线性拟合方法计算压力敏感电桥的电桥内阻 初始值RT0和内阻的温度系数TCR,其中,T0为初始温度,温度系数TCR 为电阻相对于温度的变化率,单位为%/℃。
4.根据权利要求3所述的压力传感器温度补偿方法,其特征在于, 得到压力敏感电桥的内阻初始值RT0和温度系数TCR后,结合二极管正 向导通压降的温度变化率ΔVT,得到串联二极管组的数量N的计算公式 如下:
N=[N′]或N=[N′+1]①
其中N′=RT0×TCR/ΔVT;即数量N为计算结果N′四舍五入后取整 所得。
5.根据权利要求4所述的压力传感器温度补偿方法,其特征在于, 所述二极管正向导通压降的温度变化率ΔVT通过查找二极管性能表获得 或直接测量得到。
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