[发明专利]一种贴片二极管的制备工艺有效
申请号: | 201610297014.3 | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN105789045B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 王志敏 | 申请(专利权)人: | 王志敏 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 制备 工艺 | ||
1.一种贴片二极管的制备工艺,其特征在于:所述制备工艺具体步骤如下:
(1)合金:取焊片和扩散片,按焊片→扩散片→焊片的顺序,依次堆叠好,然后将堆叠好的材料置于高频合金炉内进行合金加热,使扩散片与焊片相互结合后形成良好的合金;
(2)划片:将步骤(1)中形成的合金放入自动划片机内,并且按照二极管芯片图形的尺寸要求对合金进行切割,形成单个芯片;
(3)酸洗:将步骤(2)中的单个芯片,放置在酸溶液内进行酸洗,去除划片过程中对芯片造成的机械损伤;
(4)焊接:将酸洗后的芯片的P、N端分别与上、下引线焊接固定;
(5)碱洗:将焊接固定的芯片和引线放置于碱溶液内进行碱洗,去除焊接中的二氧化硅氧化层,同时粗化芯片表面,以便在后续工序中加强芯片与芯片护封用胶的连接紧密性;
(6)灌胶:灌胶前,在芯片外形成一个环绕在芯片外围的环形间隙,然后向环形间隙内灌入芯片护封用胶,使芯片护封用胶环绕在芯片外侧壁表面;
(7)胶固化:将灌胶后的芯片和引线进行芯片护封胶用固化,直至固化完全;
(8)塑封:胶固化后,对芯片和引线进行塑封,通过塑封工序,形成一包裹芯片及引线的塑封结构;
(9)后固化:将塑封后的塑封结构进行后固化,使得交联反应更加彻底,而使芯片、引线与塑封结构进一步粘结成一体;所述步骤(6)灌胶工序中,芯片护封用胶使用常温固化胶或高温固化胶,并通过灌注针头将芯片护封用胶灌注至芯片环形间隙中,灌注时,灌注针头通过N2加压进行灌注,N2压力控制在0.5-2.0kgf/cm2,灌注时间为5-10S。
2.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:所述步骤(3)的酸洗分为三个阶段,第一阶段采用质量比为2-4:6-8:3-6的HNO3、HF、H3PO4的混合酸,酸洗150-300S,酸温控制在5-15℃;第二阶段采用质量浓度为10-20%的HNO3溶液,酸洗20-60S,酸温控制在5-35℃;第三阶段采用质量浓度为2-8%的HF溶液,酸洗20-60S,酸温控制在5-35℃。
3.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:所述步骤(5)的碱洗采用质量浓度为2-15%的KOH溶液,碱洗60-180S,碱液温度控制在60-100℃。
4.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:所述芯片的外围被灌注芯片护封用胶后,再通过超声波振动,使灌注均匀,无气孔产生。
5.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:所述步骤(8)的塑封中塑封材料为低温固化AB胶、高温固化AB胶或传统环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:在所述焊接工序前,在贴片二极管下引线的芯片连接端设置一可容纳芯片的凹坑,接着将芯片置于凹坑内,然后将芯片与上、下引线焊接固定,使凹坑的内侧壁与芯片侧壁之间形成一个环绕在芯片外围的环形间隙;在塑封工序中,通过塑封,在引线外形成一包裹芯片及引线的塑封结构。
7.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:在所述灌胶工序前,将碱洗后的芯片及引线置于一上端开口的塑封壳体中,使塑封壳体的内侧壁与芯片侧壁之间形成一个在芯片外围的环形间隙;在塑封工序中,通过塑封,在塑封壳体外形成一包裹芯片及引线的塑封结构。
8.根据权利要求1所述的贴片二极管的制备工艺,其特征在于:在所述灌胶工序前,预制一塑封外壳,该塑封外壳底部中心具有一个高度低于塑封外壳的芯片内壳,且芯片内壳上端开口;然后将碱洗后的芯片及引线置于芯片内壳中,使芯片内壳的内侧壁与芯片侧壁之间形成一个在芯片外围的环形间隙;在塑封工序中,向塑封外壳中灌入环氧树脂填料,使填料与塑封外壳形成一包裹芯片及引线的塑封结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造