[发明专利]N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201610297803.7 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105932041B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张金风;黄旭;安阳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 基鳍式高 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【说明书】：
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